时间：2025/11/8 9:33:53
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BD2264G-MGTR是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用紧凑型表面贴装封装（HVSOF5），适合对空间要求较高的应用场合。其设计目标是实现低导通电阻、高效率和快速开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品中的电源控制模块。BD2264G-MGTR在保证高性能的同时，还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，满足工业级和消费类电子产品的严苛需求。该MOSFET通过优化的工艺技术实现了低栅极电荷和低输入电容，从而减少了驱动损耗并提升了整体系统效率。此外，其封装形式支持回流焊工艺，便于自动化生产装配，提高了制造良率和一致性。作为一款通用型功率开关器件，BD2264G-MGTR在小型化、高效能和成本效益之间取得了良好平衡，是现代电子设备中理想的电源管理解决方案之一。
型号：BD2264G-MGTR
类型：MOSFET
极性：N-Channel
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id)：4.7A
脉冲漏极电流(Idm)：18.8A
导通电阻(Rds(on))：30mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.35A
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.0V ~ 2.0V
栅极电荷(Qg)：4.3nC @ Vds=10V, Id=4.7A
输入电容(Ciss)：430pF @ Vds=10V
反向恢复时间(trr)：未指定
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装/包：HVSOF5
BD2264G-MGTR具有优异的电气特性和热性能，能够在高频开关应用中表现出色。其低导通电阻Rds(on)仅为30mΩ（在Vgs=4.5V条件下），显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高电源系统的整体效率。这一特性使其特别适用于低电压、大电流的DC-DC转换器和同步整流电路，能够有效减少发热并提升能量利用率。同时，该器件具备较低的栅极电荷（Qg=4.3nC）和输入电容（Ciss=430pF），使得驱动电路所需的功耗更小，响应速度更快，有利于实现高速开关操作，从而进一步降低开关损耗，提升系统动态响应能力。
该MOSFET的漏源击穿电压为20V，额定连续漏极电流为4.7A，脉冲电流可达18.8A，具备较强的负载驱动能力，适用于多种中等功率应用场景。其栅极阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了与低压逻辑信号的良好兼容性，可直接由3.3V或5V微控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。此外，器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，展现出卓越的环境适应能力和长期运行稳定性，适用于高温或低温恶劣环境下的电子设备。
HVSOF5封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具备优良的散热性能，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB，增强热管理效果。这种封装方式支持全自动贴片生产和回流焊接，提高了生产效率和产品一致性。ROHM在制造过程中采用了高可靠性的工艺流程，确保每颗芯片都具备稳定的参数特性和长寿命表现。综合来看，BD2264G-MGTR凭借其低Rds(on)、低Qg、高电流能力和紧凑封装，在便携式电源管理、移动设备、物联网终端及工业控制等领域展现出强大的竞争力。
BD2264G-MGTR主要用于各类需要高效电源开关控制的电子系统中。典型应用包括便携式电子设备的电源管理单元，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池供电路径控制。其低导通电阻和快速响应特性也使其成为DC-DC降压变换器的理想选择，尤其适用于同步整流拓扑结构，用于替代传统二极管以提高转换效率。此外，该器件可用于电机驱动电路中的低端开关，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换。
在嵌入式系统和微控制器外围电路中，BD2264G-MGTR常被用作GPIO扩展驱动器，用于控制LED背光、传感器电源或外设模块的上电时序管理。其低压驱动特性允许直接由MCU I/O引脚控制，简化了电路设计。在电池供电系统中，它还可作为防反接保护开关或过流保护电路的一部分，提升系统的安全性和可靠性。工业自动化设备、智能家居控制板以及通信模块中的电源分配网络也是其常见的应用场景。得益于HVSOF5的小型化封装，该器件特别适合高密度布局的多层PCB设计，广泛服务于消费电子、工业控制、汽车电子（非动力系统）和医疗便携设备等多个领域。
DMG2218LSD-7
SI2302DS-T1-E3
AO3400A
FDN340P
