BD160GB64CI 时间：2025/9/30 6:10:13 阅读：11

BD160GB64CI是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能低导通电阻功率晶体管的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具备优良的电气性能和热稳定性，适用于高密度电源设计。BD160GB64CI特别针对低电压驱动应用进行了优化，在4.5V至10V的栅极驱动电压范围内表现出较低的导通电阻，从而降低导通损耗，提升系统整体效率。该MOSFET封装在紧凑的HSOP小外形封装中，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适用于工业控制、消费类电子产品和便携式设备等广泛应用场景。

参数

型号：BD160GB64CI
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：160A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流(IDM)：320A
　　导通电阻(RDS(on))：最大4.2mΩ（@ VGS = 10V, ID = 80A）
　　导通电阻(RDS(on))：最大5.0mΩ（@ VGS = 4.5V, ID = 80A）
　　阈值电压(Vth)：典型值2.0V，范围1.5V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：约12000pF（@ VDS = 30V）
　　输出电容(Coss)：约2800pF
　　反向恢复时间(trr)：约35ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：HSOP（带裸露焊盘）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

BD160GB64CI采用了罗姆专有的沟槽结构MOSFET技术，使其在同类产品中具备卓越的导通性能和开关速度。其超低导通电阻RDS(on)在高电流条件下显著降低了功率损耗，提高了电源系统的转换效率，特别适合用于大电流输出的同步整流电路或负载开关应用。
　　该器件在VGS = 10V时，RDS(on)最大仅为4.2mΩ，而在更低的驱动电压4.5V下也能保持5.0mΩ的低阻值，表明其对现代低电压逻辑驱动信号的良好兼容性，适用于由3.3V或5V控制器直接驱动的应用场合，无需额外的电平转换或驱动电路。
　　BD160GB64CI具备优异的热性能，得益于HSOP封装中的底部裸露焊盘设计，能够有效将芯片产生的热量传导至PCB，从而提升散热效率，允许器件在高功率密度环境下长时间稳定运行。这种封装形式还减小了整体占板面积，有助于实现小型化设计。
　　该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达160A（在理想散热条件下），脉冲电流更高达320A，适合应对瞬态过载或启动冲击电流较大的应用场景，如电机启动、电池供电系统等。
　　此外，BD160GB64CI内置体二极管，具有较快的反向恢复时间（trr约35ns），有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰，提升高频开关应用中的系统稳定性。其栅极电荷（Qg）较低，进一步减少了驱动损耗，有利于提高开关频率并缩小外围滤波元件尺寸。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和稳健的ESD防护特性，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。同时，符合AEC-Q101车规级认证的部分版本可用于汽车电子系统，但需确认具体批次是否通过相关认证。整体而言，BD160GB64CI是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求高效能与小型化的现代电力电子设计。

应用

BD160GB64CI广泛应用于多种高效率、大电流的电力电子系统中。典型应用包括直流-直流（DC-DC）降压或升压转换器，特别是在服务器电源、通信设备电源模块以及笔记本电脑适配器中作为主开关或同步整流开关使用，利用其低导通电阻来降低损耗，提高能效。
　　在电池管理系统（BMS）和电动工具、无人机、电动自行车等便携式动力设备中，该器件可用作电池保护开关或电机驱动H桥中的功率开关元件，凭借其高电流处理能力和快速响应特性，确保系统在高负载下稳定运行。
　　此外，BD160GB64CI也适用于工业电机控制、伺服驱动器和电磁阀驱动电路，作为功率输出级的核心元件，提供可靠的开关控制和过流保护功能。
　　在LED照明驱动电源中，尤其是在大功率LED阵列的恒流驱动方案中，该MOSFET可作为PWM调光开关，实现精确的亮度调节和高效的能量转换。
　　由于其良好的热性能和紧凑封装，BD160GB64CI也常被用于空间受限但功率要求较高的嵌入式系统和模块化电源设计中。同时，其表面贴装封装形式支持自动化贴片生产，适用于大规模制造流程，提升了生产效率和产品一致性。