型号：BD135G-06-AA3-R
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）：75A
　　脉冲漏极电流（Idm）：210A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：6.6mΩ（@ Vgs=10V, Id=30A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：4900pF（@ Vds=30V）
　　输出电容（Coss）：1500pF（@ Vds=30V）
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　功耗（Ptot）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-263（DPAK）

BD135G-06-AA3-R采用ROHM专有的沟槽栅极技术，有效降低了单位面积下的导通电阻，从而在大电流应用中显著减少导通损耗。该器件的低Rds(on)特性使其在高负载条件下仍能保持较低的温升，提升了系统的热效率和长期可靠性。其高载流能力（可达75A连续电流）使其适用于大功率开关电源和电机驱动电路，例如服务器电源、工业电机控制器和电动汽车辅助系统。此外，该MOSFET具有优异的开关性能，输入和输出电容经过优化，减少了开关过程中的能量损耗，有利于实现高频开关操作，提升电源转换效率。
　　该器件具备良好的热稳定性，芯片结构设计考虑了热分布均匀性，避免局部过热导致的失效。其TO-263封装具有较大的散热片，可通过PCB上的铜箔或外接散热器实现高效散热，进一步增强其在高功率密度环境下的适用性。器件的栅极氧化层经过强化处理，能够承受高达±20V的栅源电压，增强了抗静电和误操作能力。同时，较低的阈值电压（约2.0V至3.0V）使其兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，便于与微控制器或PWM控制器直接接口，简化驱动电路设计。
　　BD135G-06-AA3-R还具备较强的抗雪崩能力，在非钳位感性关断测试中表现出良好的鲁棒性，适用于存在反电动势的电机驱动和继电器开关等场景。其符合AEC-Q101车规级可靠性标准，表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感度等方面均通过严格测试，适合在汽车电子系统中使用。此外，该器件支持并联使用，由于其正温度系数的导通电阻特性，多个器件并联时可实现良好的电流均衡，进一步扩展其在大电流应用中的灵活性。

BD135G-06-AA3-R广泛应用于多种高效率功率转换系统中。在开关电源领域，常用于同步整流、主开关管或半桥/全桥拓扑结构中，特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中发挥关键作用。其低导通电阻和高电流能力有助于提升电源效率，满足80 PLUS铂金或钛金能效认证的要求。在DC-DC转换器中，该器件可用于降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）拓扑，作为主开关或同步整流开关，适用于笔记本电脑适配器、LED驱动电源和便携式设备供电系统。
　　在电机驱动方面，BD135G-06-AA3-R可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和高效能量转换，常见于家电（如洗衣机、空调风扇）、电动工具和工业自动化设备中。其快速开关能力和低开关损耗有助于实现精确的PWM调速控制，减少电机发热和噪音。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、逆变器和太阳能微型逆变器等新能源领域，作为功率开关元件实现高效的能量管理与转换。
　　在汽车电子中，该MOSFET可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电子节气门控制、冷却风扇驱动和灯光控制系统。其通过AEC-Q101认证，确保在极端温度、振动和电磁干扰环境下仍能稳定运行。此外，由于其表面贴装封装形式，易于实现自动化生产，适合大批量制造场景，广泛应用于消费类电子产品、工业控制板和通信设备中。

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　　 "BD135G-06-A, ON",
　　 "FDMS7682S",
　　 "IRF1404ZPBF",
　　 "STP75NF75",
　　 "FDPF06AN06B"
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