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AON7408 发布时间 时间:2025/4/28 17:40:59 查看 阅读:2

AON7408是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及其他需要高效能和高可靠性的应用场合。
  这款MOSFET的主要特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时,它还具备良好的热性能和电气稳定性,能够适应多种复杂的工作环境。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗:1.8W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AON7408采用了领先的工艺设计,确保了其在性能上的卓越表现。
  1. 极低的导通电阻使得功率损耗显著降低,从而提升整体系统效率。
  2. 快速开关速度可以减少开关损耗,适用于高频操作场景。
  3. 高电流承载能力支持更广泛的应用需求。
  4. 紧凑的封装形式(如LFPAK56(DPAK))使其易于集成到各种电路设计中。
  5. 良好的热稳定性和可靠性保证了长时间运行下的安全性。

应用

AON7408因其优异的性能被广泛应用于多个领域。
  1. 电源管理模块中的负载开关和保护电路。
  2. 各类DC-DC转换器及POL(Point of Load)调节器。
  3. 笔记本电脑和平板电脑等便携式电子设备中的电池管理系统。
  4. 工业自动化控制中的电机驱动与电源切换。
  5. 消费类电子产品中的充电解决方案。

替代型号

AO3408, IRF7846, FDN340P

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AON7408参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.6V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds448pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(3x3)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1307-6