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HV2225Y122KXVATHV 发布时间 时间:2025/6/26 17:14:40 查看 阅读:5

HV2225Y122KXVATHV 是一款高性能的高压 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理、电机驱动以及工业自动化领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备高耐压、低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统的效率和稳定性。
  这款器件支持高频开关操作,并且内置了多种保护功能,例如过流保护、过热关断等,从而确保在复杂工作环境下的可靠性。其封装形式紧凑,适合对空间要求严格的现代电子设备设计。

参数

类型:MOSFET
  最大漏源电压:800V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻(典型值):0.18Ω
  栅极电荷:35nC
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

HV2225Y122KXVATHV 的关键特性包括:
  1. 高耐压能力,支持高达 800V 的漏源电压,适用于各种高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻(0.18Ω 典型值),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关性能,栅极电荷仅为 35nC,可实现高效的高频操作。
  4. 内置多重保护机制,如过流保护和过温关断,提升了器件的可靠性和安全性。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。
  6. 宽广的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应恶劣的工作条件。

应用

HV2225Y122KXVATHV 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
  2. 电机驱动器中的逆变桥组件。
  3. 工业自动化设备中的高压切换模块。
  4. LED 驱动电路中的高效功率转换元件。
  5. 电动车和混合动力汽车的动力管理系统。
  器和其他可再生能源相关产品中的功率处理部分。

替代型号

HV2225Y122KXVATHV 的可能替代型号包括 IRFP460、STP12NM50 和 FQA12N80C。

HV2225Y122KXVATHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥12.01365卷带(TR)
  • 系列HV
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定4000V(4kV)
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳2225(5763 公制)
  • 大小 / 尺寸0.220" 长 x 0.250" 宽(5.59mm x 6.35mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-