BCW66GR是一款常见的双极型晶体管(BJT),广泛应用于低频放大和开关电路中。这款晶体管采用NPN结构,适用于多种电子设备中的基础电子控制功能。BCW66GR通常采用SOT-23封装,具备较高的可靠性和稳定性,因此在工业、汽车电子和消费类电子产品中得到了广泛应用。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):45 V
最大基极-发射极电压(Vbe):5 V
最大功耗(Ptot):300 mW
增益带宽积(fT):100 MHz
增益(hFE):范围从110到800(根据不同的等级)
BCW66GR晶体管具有多项显著的性能特点。首先,其NPN结构使其在放大和开关应用中表现出色,能够提供较高的电流增益(hFE),范围从110到800,具体取决于器件的等级。这使得BCW66GR能够在低电流条件下实现高效的信号放大。
其次,BCW66GR的最大集电极电流为100 mA,最大集电极-发射极电压为45 V,使其适用于多种中低功率电路设计。晶体管的增益带宽积(fT)为100 MHz,支持其在高频开关和放大应用中的使用。
BCW66GR晶体管广泛应用于各种电子电路中。首先,在信号放大电路中,BCW66GR常用于音频放大和低频放大器设计,其高电流增益能够有效放大输入信号。
BCW66G, BCW66H, PN2222, 2N3904