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RHRG5060 发布时间 时间:2025/5/22 18:36:16 查看 阅读:4

RHRG5060是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高频功率晶体管,主要用于射频和无线通信应用。该晶体管采用先进的硅锗(SiGe)技术制造,具备卓越的增益、线性和效率特性。它适用于无线基础设施、点对点无线电以及测试设备等领域。RHRG5060能够在高频段提供稳定的性能表现,同时支持高输出功率设计。

参数

最大频率:12GHz
  输出功率:3W
  增益:18dB
  工作电压:4.8V~12V
  封装形式:SOT-227
  工作温度范围:-55℃~+150℃
  典型电流:500mA

特性

RHRG5060具有出色的射频性能,其高频稳定性使得其在无线通信领域中成为理想选择。
  主要特点包括:
  1. 高频率范围,能够覆盖从低GHz到12GHz的应用需求。
  2. 优秀的线性度和增益表现,适合于多载波系统和复杂调制信号处理。
  3. 稳定的功率输出,即使在较高频率下也能保持较高的效率。
  4. 使用SOT-227封装,有助于提高散热性能并简化安装过程。
  5. 工作温度范围广,适应各种恶劣环境条件下的使用需求。

应用

RHRG5060广泛应用于以下领域:
  1. 射频功率放大器设计。
  2. 无线通信基站中的功放模块。
  3. 点对点微波链路系统。
  4. 测试与测量设备中的射频信号源。
  5. 航空航天及国防领域的高性能射频应用。
  6. 医疗成像设备和其他需要高精度射频信号处理的场合。

替代型号

BLF189, MRF157

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RHRG5060参数

  • 标准包装150
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)50A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)2.1V @ 50A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)50ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电250µA @ 600V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型通孔,径向
  • 封装/外壳TO-247-2
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件