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BCV49,115 发布时间 时间:2025/9/14 23:35:37 查看 阅读:9

BCV49,115 是一款由Nexperia(原Philips Semiconductors)生产的双极型晶体管阵列,广泛用于低频和中频放大电路中。该器件采用小型SOT-23封装,具有良好的热稳定性和高频性能,适用于通用开关和放大应用。

参数

类型:NPN晶体管阵列
  封装:SOT-23
  晶体管数量:2
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  电流增益(hFE):110至800(根据档位不同)
  过渡频率(fT):100MHz
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

BCV49,115 的主要特性包括高电流增益、良好的频率响应和低噪声性能。该器件采用硅外延平面技术,具有较高的稳定性和可靠性。此外,该晶体管阵列在设计上实现了较小的寄生电容,使其在中高频应用中表现出色。其SOT-23封装形式适用于表面贴装工艺,有助于提高PCB布局的紧凑性和自动化生产效率。
  由于其双晶体管结构,BCV49,115 可用于差分放大器、推挽输出级、逻辑电平转换等多种模拟电路设计中。该器件还具备良好的温度稳定性,能够在宽温度范围内保持稳定的性能。

应用

BCV49,115 常用于音频放大器、信号调理电路、接口电路、LED驱动电路以及各种低功率开关和放大电路中。其高频性能使其适用于射频前端模块中的低噪声放大器设计。此外,该器件也可用于数字电路中的电平转换和缓冲器应用。

替代型号

BCV49,135
  BCV49,215
  BCV49,315

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BCV49,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 100µA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10000 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 频率 - 转换220MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-6876-6