类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID（at 25°C）：60A
　　脉冲漏极电流IDM：240A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS=10V：3.7mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS=4.5V：4.8mΩ
　　栅极阈值电压VGS(th)：1.2V ~ 2.3V
　　输入电容Ciss：典型值约3300pF
　　输出电容Coss：典型值约950pF
　　反向恢复时间trr：典型值约18ns
　　最大功耗Ptot：150W（TC=25°C）
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PG-HSOF-5

BCR30GMG采用了英飞凌成熟的Trenchstop?沟槽栅技术，这种结构优化了载流子分布，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡关系，从而实现了更高的整体效率。该器件在低电压应用中表现出色，特别是在30V耐压等级下，其RDS(on)仅为3.7mΩ（@VGS=10V），这有助于减少传导损耗并提升系统能效。同时，在4.5V栅极驱动条件下仍能保持较低的导通电阻（4.8mΩ），说明其具备良好的低电压驱动能力，适用于由电池供电或使用逻辑电平信号驱动的系统。
　　该MOSFET具备优秀的热性能和电流处理能力，能够承受高达60A的连续漏极电流，并支持峰值达240A的脉冲电流，适合用于瞬态负载变化剧烈的应用场景，如电机启动或大电流放电电路。器件内部结构经过优化，减少了寄生电感和电阻，提升了高频开关性能，有效抑制了开关过程中的振铃现象，从而提高了系统的EMI表现。此外，其快速的反向恢复时间（trr≈18ns）使得体二极管在同步整流等应用中也能保持良好性能，降低反向恢复损耗。
　　BCR30GMG还集成了多项可靠性增强设计，包括增强型钝化层、抗闩锁结构以及高温稳定性保障，确保器件在恶劣环境下的长期稳定运行。它通过AEC-Q101认证，符合汽车电子元器件的可靠性测试标准，可用于车载电源管理系统、电动助力转向（EPS）、车载充电机（OBC）等关键部件。封装方面，PG-HSOF-5是一种表面贴装的小外形封装，具有优异的散热能力，可通过PCB焊盘将热量有效传导至外部散热路径，适合自动化生产流程。综合来看，BCR30GMG是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和可靠性均有较高要求的应用场合。

BCR30GMG广泛应用于多种高效率电源转换系统中。在DC-DC转换器中，尤其是降压（Buck）、升压（Boost）和同步整流拓扑中，该器件凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升转换效率并降低温升，适用于服务器电源、通信基站电源模块以及嵌入式电源系统。在电机驱动领域，无论是直流无刷电机（BLDC）还是步进电机控制，BCR30GMG都能提供稳定的电流切换能力，适用于工业自动化设备、家用电器（如洗衣机、空调压缩机）以及电动工具。
　　在汽车电子方面，由于其通过AEC-Q101认证，BCR30GMG被广泛用于车载电源系统，例如车身控制模块、LED照明驱动、电动门窗、电动座椅驱动以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制。此外，在新能源汽车中，该器件也可用于辅助电源、DC-DC变换器和车载充电机的次级侧整流或同步整流环节。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、移动电源、无线充电器等便携式设备中，BCR30GMG的小型化封装和高效率特性使其成为理想选择。其表面贴装封装形式也便于实现高密度PCB布局，提升产品集成度。此外，在工业电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器等工业电力电子系统中，该器件同样可用于功率级开关元件，以实现高效的能量转换和可靠的系统运行。总之，BCR30GMG适用于所有需要高电流、低损耗、小型化和高可靠性的功率开关应用场景。

BSC036N03LS
　　BSC040N03MS G