时间:2025/12/28 3:43:56
阅读:17
BCR16PM-14L是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用PG-SOT343-4封装,广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电设备和低电压控制电路中。该器件专为高效率和小尺寸设计需求而优化,适用于需要紧凑型封装和良好热性能的便携式电子产品。BCR16PM-14L具备低导通电阻(RDS(on))、快速开关能力以及良好的栅极电荷特性,能够在低电压条件下实现高效的功率控制。其P沟道结构允许在高端开关配置中简化驱动电路设计,无需额外的电荷泵电路即可直接由逻辑信号驱动,从而降低系统复杂性和成本。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的可靠性和稳定性,适合工业、消费类电子及通信设备中的多种应用场景。
类型:P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):-20 V
最大栅源电压(VGS):±12 V
连续漏极电流(ID):-1.6 A(@ 25°C)
脉冲漏极电流(IDM):-3.2 A
导通电阻(RDS(on)):55 mΩ(@ VGS = -4.5 V)
导通电阻(RDS(on)):70 mΩ(@ VGS = -2.5 V)
阈值电压(VGS(th)):-0.8 V 至 -1.4 V
输入电容(Ciss):290 pF(@ VDS = 10 V)
反向传输电容(Crss):50 pF(@ VDS = 10 V)
栅极电荷(Qg):5.5 nC(@ VGS = -4.5 V)
功耗(Ptot):1 W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:PG-SOT343-4
安装类型:表面贴装(SMD)
BCR16PM-14L具有出色的电气性能和热稳定性,特别适合在空间受限且对能效要求较高的应用中使用。其P沟道结构使其非常适合用于高端开关配置,在电池供电系统中可实现负载的完全关断,有效延长电池寿命。该器件在-4.5V的栅源电压下可实现低至55mΩ的导通电阻,确保在大电流通过时仍保持较低的功率损耗,提升整体系统效率。同时,在-2.5V的较低驱动电压下仍能保持70mΩ的RDS(on),表明其具备良好的低电压驱动能力,兼容3.3V或更低逻辑电平控制,适用于现代低功耗微控制器直接驱动。
该MOSFET具备快速开关特性,得益于较低的输入电容(290pF)和反向传输电容(50pF),能够减少开关延迟和动态损耗,适用于高频开关操作。其栅极电荷仅为5.5nC,有助于降低驱动电路的功耗,进一步提高系统的能效表现。此外,器件的工作结温可达+150°C,具备良好的热鲁棒性,可在严苛环境下稳定运行。
BCR16PM-14L采用PG-SOT343-4小型化封装,尺寸紧凑,节省PCB空间,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品。该封装还具备良好的散热性能,通过焊盘设计可有效将热量传导至PCB,提升功率处理能力。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,可用于车载电子系统。同时,产品无卤素且符合RoHS指令,满足绿色环保要求。其高度集成的特性减少了外围元件数量,简化了电路设计流程,提高了生产良率和系统可靠性。
BCR16PM-14L广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和智能手表中的电池充电与放电控制电路。作为高端负载开关,它可用于控制外设电源的通断,实现节能待机模式或系统级电源管理。在DC-DC转换器中,该器件可作为同步整流或电平转换开关,提升转换效率。此外,它也适用于各类传感器模块、无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙模块)的电源使能控制,实现按需供电以降低静态功耗。
在工业控制系统中,BCR16PM-14L可用于PLC输入输出模块、远程I/O单元中的信号切换与隔离。由于其良好的温度特性和可靠性,也可用于汽车电子系统,例如车身控制模块、车灯控制、车载信息娱乐系统的电源管理单元。在医疗电子设备中,该器件因其低漏电流和高稳定性,可用于便携式监护仪、血糖仪等低功耗医疗设备的电源开关设计。此外,它还可用于USB电源开关、SD卡接口电源控制、LCD背光驱动电路等多种数字接口电源管理场景。凭借其小尺寸和高性能,BCR16PM-14L是现代高密度、低功耗电子产品中理想的功率开关解决方案。
[
"BSS84",
"DMG2304U",
"FMMT718",
"SI2301"
]