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1SD312F2-MBN900D45A 发布时间 时间:2025/8/7 8:44:50 查看 阅读:24

1SD312F2-MBN900D45A 是一款由东芝(Toshiba)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率应用,例如工业电机驱动、逆变器和电源系统。这款IGBT模块设计用于高效能和高可靠性,能够在高电压和大电流条件下工作。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(Vce):1200V
  集电极电流(Ic):75A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:模块封装
  短路耐受能力:有
  绝缘电压:2500Vrms
  安装方式:螺钉安装

特性

1SD312F2-MBN900D45A IGBT模块具备高耐压和大电流处理能力,使其适用于各种高功率电子设备。该模块采用先进的芯片技术,提供低导通压降和开关损耗,从而提高了整体效率。此外,其内置的二极管可以提供反向电流保护,增强系统的稳定性。模块的封装设计提供了良好的散热性能和机械强度,适合在严苛的工业环境中使用。
  这款IGBT模块还具有出色的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。其高绝缘电压确保了在高压应用中的安全性,同时减少了对外部保护电路的依赖。由于其高性能和高可靠性,1SD312F2-MBN900D45A广泛用于电机控制、电源转换和可再生能源系统等领域。

应用

1SD312F2-MBN900D45A IGBT模块主要应用于需要高功率密度和高可靠性的系统中,例如交流电机驱动器、工业逆变器、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等。此外,它还可用于焊接设备、感应加热装置和电动汽车充电系统等高功率应用。

替代型号

1SD312F2-MBN900D45A的替代型号包括富士电机(Fuji Electric)的2MBI75N120-50和英飞凌科技(Infineon)的FF75R12KS4。

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1SD312F2-MBN900D45A参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SCALE?-1
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型单路
  • 驱动器数1
  • 栅极类型IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电15.5V ~ 16.8V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)12A,12A
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)100ns,100ns
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块