时间：2025/9/14 18:11:29
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BCP52-10,135 是一款由 Nexperia（原 Philips Semiconductors）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-223 封装。该器件适用于需要高效率和高可靠性的开关应用，例如电源转换器、电机控制和负载开关。BCP52-10,135 设计用于在高电流和高频率条件下运行，提供低导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能。
类型：N沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：100V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：7A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-223
BCP52-10,135 MOSFET 具有多个显著的电气和热性能特性。首先，其漏极-源极电压（Vds）为 100V，适用于中高功率的电源管理应用。其次，该器件的最大连续漏极电流为 7A，适合用于需要较高电流承载能力的系统。此外，BCP52-10,135 具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常在 1Ω 左右，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，提供了良好的栅极控制能力，同时其封装（TO-223）具有良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定的工作温度。BCP52-10,135 还具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。
此外，BCP52-10,135 在工作温度范围内（-55°C 至 +150°C）保持稳定性能，适用于各种严苛环境条件下的应用。其封装设计也有助于快速安装和散热，适用于 PCB 板上的空间受限设计。
BCP52-10,135 MOSFET 广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及工业自动化系统。在电源管理系统中，该器件可用于高效能的同步整流器或开关稳压器。在电机控制方面，BCP52-10,135 可作为功率开关用于控制直流电机的速度和方向。此外，在电池供电设备中，它可以作为负载开关，有效管理电池的放电路径，提高系统效率。在工业自动化和控制系统中，该 MOSFET 可用于继电器驱动、传感器供电控制等应用场景。
BUK7K10-40E, IRLML6401TRPBF, FDS4410, STD5NK60Z, IRF540N
