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BCP49E6419 发布时间 时间:2025/5/26 20:20:51 查看 阅读:12

BCP49E6419是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合在高效能和紧凑设计的应用场景中使用。
  这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,能够显著降低系统功耗并提高整体效率。其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装类型,方便在高密度电路板上进行布局。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  总电容(输入+输出):1500pF
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

BCP49E6419具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频应用。
  3. 优秀的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠的性能。
  4. 小型化封装设计,适用于空间受限的应用场景。
  5. 强大的过流保护功能,提升了系统的安全性和可靠性。
  6. 广泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境下的运行需求。

应用

BCP49E6419广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,包括降压、升压及反激式拓扑结构。
  3. 电机驱动控制,例如无刷直流电机和步进电机。
  4. 负载开关,用于实现快速的负载切换。
  5. 电池管理系统中的充放电保护电路。
  6. 工业自动化设备中的功率级管理部分。

替代型号

IRF540N
  STP25NF06L
  FDP5580
  AO3400

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