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BCM847BS,115 发布时间 时间:2025/5/19 9:24:09 查看 阅读:2

BCM847BS 是一款基于硅技术的双极性晶体管,专为高频和高增益应用而设计。该晶体管采用先进的制造工艺,确保了卓越的电气性能和可靠性。其典型应用场景包括射频放大器、混频器以及振荡器电路等。型号中的 '115' 通常表示封装类型或特定参数版本,在本例中对应 SOT-23 封装形式。
  该器件具有低噪声系数和较高的电流增益,非常适合无线通信设备和其他需要高性能模拟信号处理的应用领域。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):25V
  集电极电流(IC):200mA
  直流电流增益(hFE):110至600
  过渡频率(fT):900MHz
  噪声系数:1dB
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:SOT-23(115)

特性

BCM847BS 拥有以下显著特性:
  1. 高频率响应能力,适合高频电路设计。
  2. 较低的噪声系数,适用于对信号质量要求较高的场合。
  3. 优异的热稳定性,能够适应较宽的工作温度范围。
  4. 小型化的 SOT-23 封装,便于在紧凑空间内布局。
  5. 高可靠性和长寿命,满足工业及消费类电子产品的严格要求。

应用

该晶体管的主要应用领域包括:
  1. 射频(RF)放大器设计。
  2. 高速开关电路。
  3. 调制解调器与通信模块中的信号放大。
  4. 无线传感器网络中的信号调理电路。
  5. 移动设备中的功率控制和管理模块。

替代型号

BC847C, BC847B, MMBT3904

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BCM847BS,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换250MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装6-TSSOP
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-6098-6