时间：2025/8/6 10:10:56
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IXGH12N100 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的高功率双极型晶体管（BJT），专为高电压和高电流的应用设计。这款晶体管具有1000V的最高集电极-发射极电压（Vce）和12A的最大集电极电流（Ic），非常适合用于高功率开关和放大电路。IXGH12N100 采用 TO-247 封装形式，具备良好的热性能和电气性能，适合在工业电机控制、电源转换、UPS（不间断电源）以及电力电子系统中使用。
类型：双极型晶体管（BJT）
材料：硅
集电极-发射极最大电压（Vce）：1000V
集电极-基极最大电压（Vcb）：1000V
发射极-基极最大电压（Veb）：5V
最大集电极电流（Ic）：12A
最大耗散功率（Ptot）：175W
电流增益（hFE）：最小50（Ic=4A, Vce=5V）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
IXGH12N100 的主要特性之一是其高电压能力，能够在高达1000V的集电极-发射极电压下稳定工作，这使其特别适用于高电压电源和电力电子系统中的开关应用。此外，该晶体管支持高达12A的集电极电流，具有较强的电流承载能力，确保在大功率负载下依然保持良好的性能。
该器件采用了高可靠性的硅技术，具有优异的热稳定性和抗热击穿能力。TO-247 封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于在电路板上安装和使用。同时，该晶体管的封装也具备较低的热阻，使得在高功率运行时能够更有效地将热量散发出去，提高整体系统的可靠性。
在电气特性方面，IXGH12N100 具有较高的电流增益（hFE），确保在较低的基极驱动电流下即可实现较高的集电极电流放大，从而降低驱动电路的设计复杂度并提高系统的效率。其基极-发射极电压阈值较低，能够在较小的输入信号下实现晶体管的导通，适用于多种驱动方式。
此外，IXGH12N100 具有较强的抗过载能力，能够在短时间内承受超过额定值的电流和电压应力，从而在突发工况下提供额外的安全裕量。这一特性使其在工业应用中具有更高的稳定性和耐用性。
IXGH12N100 主要应用于高功率电子系统中，包括但不限于工业电机驱动、电力电子变换器（如DC-DC、AC-DC转换器）、不间断电源（UPS）、逆变器、焊接设备、电能质量控制装置以及高功率音频放大器等。由于其具备高电压和高电流能力，该晶体管也常用于需要快速开关操作的场合，例如高频电源和脉冲宽度调制（PWM）控制系统。此外，IXGH12N100 还广泛应用于各种工业自动化和电力调节设备中，作为核心功率开关元件，确保系统在高电压和高负载条件下稳定运行。
IXGH15N100, IXGH10N100, IXGH12N80
