类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(ON)）：最大7.3mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

BCC0JLP具有优异的导通和开关性能，适用于多种高功率应用场景。其导通电阻低至7.3mΩ，能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。其TO-252封装不仅提供良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接。
　　该器件采用了Rohm的先进沟槽栅极技术，优化了电场分布，从而降低了开关损耗并提高了耐用性。这种技术还能有效抑制寄生电容，提升开关速度，使得BCC0JLP适用于高频开关应用。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至12V的典型驱动电压，兼容多种常见的MOSFET驱动器。
　　BCC0JLP还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，增强了器件在极端工作条件下的可靠性和耐用性。其低门极电荷（Qg）和输出电容（Coss）进一步优化了高频开关应用中的性能表现，减少开关损耗，提高系统效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。

BCC0JLP广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（如电动工具、笔记本电脑和便携式充电器）、负载开关控制、电机驱动电路以及工业自动化设备中的电源模块。此外，该MOSFET也适用于LED照明驱动器、电源适配器、UPS系统以及各种需要高效功率开关的嵌入式系统设计。由于其低导通电阻和高电流能力，BCC0JLP在需要高效率和高可靠性的电源设计中表现出色。

BSC060N03MS、FDMS86101、SiR178DP、IPB036N04N