时间：2025/8/14 19:31:34
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BC859C_R1_00001 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的 NPN 型高频晶体管，属于其 BC 系列的一部分。该晶体管专为高频放大和开关应用设计，适用于无线通信、射频电路、电视调谐器和音频放大器等多种场景。BC859C_R1_00001 是采用 SOT-23（小外形晶体管）封装的晶体管，具有良好的高频响应和可靠性。
类型：NPN 晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极-基极电压（VCBO）：30V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
集电极电流（IC）：100mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-65°C ~ +150°C
过渡频率（fT）：250MHz
电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据等级不同）
BC859C_R1_00001 晶体管具备出色的高频性能，适用于射频和高频放大电路。其过渡频率（fT）高达 250MHz，使其能够在较高的频率下保持良好的增益和稳定性。此外，该晶体管的 hFE（电流增益）范围广泛，从 110 到 800，具体取决于其等级（如 hFE 等级为 O、Y1、Y2、GR、BL 等），这使得设计人员可以根据具体需求选择合适的型号，以优化电路性能。
BC859C_R1_00001 采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，同时具有良好的热性能和机械稳定性。该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在恶劣的环境条件下可靠运行。
该晶体管还具有良好的线性度和低噪声特性，使其适用于射频前端放大器、低噪声放大器（LNA）以及各类模拟信号处理电路。由于其通用性较强，BC859C_R1_00001 也广泛应用于数字开关电路、缓冲器和驱动电路中。此外，该器件的低饱和压降（VCE(sat)）特性使其在开关应用中效率更高，减少了功耗和热量的产生。
BC859C_R1_00001 适用于多种高频和射频应用场景，包括但不限于无线通信系统中的射频放大器、调制解调器、无线基站和接收器前端。它也常用于电视调谐器、FM 接收器和音频放大器中的高频信号处理。
在数字电路中，BC859C_R1_00001 可用于构建高速开关电路、缓冲器和驱动电路，特别是在需要高频响应和低噪声特性的场合。此外，该晶体管还可用于传感器接口电路、电源管理电路以及各类嵌入式系统的信号处理模块。
由于其优异的高频性能和稳定的电气特性，BC859C_R1_00001 在消费电子、工业控制、汽车电子和通信基础设施等领域都有广泛应用。
BC847系列、2N3904、BFQ54、MMBT3904
