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BC859BW_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 4:45:32 查看 阅读:13

BC859BW_R1_00001 是一款由英飞凌科技(Infineon Technologies)制造的 NPN 双极性晶体管(BJT),属于 BC857/BC858/BC859 系列的一部分。这款晶体管通常用于通用开关和放大应用,特别适用于需要高增益和低电流操作的电路。BC859BW_R1_00001 采用 SOT-323(SC-70)封装,非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。该晶体管的工作温度范围较宽,适合在各种工业和消费类应用中运行。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
  最大发射极-基极电压(Veb):5 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  电流增益(hFE):110 至 800(取决于电流和型号后缀)
  频率响应(fT):100 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-323(SC-70)

特性

BC859BW_R1_00001 是 BC859 系列中的一款高性能 NPN 晶体管,具有多种优良特性,使其适用于各种通用放大和开关应用。首先,它的最大集电极电流为 100 mA,能够在较低的电流条件下提供稳定的性能,适用于小型电子设备中的负载控制和信号放大。此外,BC859BW_R1_00001 的集电极-发射极电压(Vce)和集电极-基极电压(Vcb)均为 30 V,使其能够在较高的电压环境中安全运行,而不易发生击穿或损坏。发射极-基极电压限制为 5 V,确保在常见数字控制电路中稳定使用。
  该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,从 110 到 800 不等,具体取决于工作电流和型号后缀。这种高增益特性使其适用于需要高灵敏度的放大电路,例如音频前置放大器或传感器信号调理电路。同时,BC859BW_R1_00001 的频率响应高达 100 MHz,使其在高频开关和射频(RF)相关应用中也能表现出色。
  封装方面,BC859BW_R1_00001 采用 SOT-323(SC-70)封装,具有较小的尺寸和良好的热性能,非常适合高密度 PCB 设计和表面贴装工艺(SMT)。该封装形式也降低了寄生电感和电容,提高了高频性能和稳定性。此外,该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,能够在极端环境条件下可靠运行,适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

应用

BC859BW_R1_00001 适用于多种电子电路,包括通用开关电路、信号放大器、逻辑电平转换、LED 驱动、传感器接口和音频前置放大器等。由于其高频性能和低功耗特性,它也常用于射频(RF)前端电路和无线通信模块中的信号处理部分。此外,该晶体管还可用于微控制器外围电路中的缓冲器和驱动器,以增强输出信号的驱动能力。

替代型号

BC857BW, BC847BW, 2N3904, MMBT3904

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BC859BW_R1_00001参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格120,000 : ¥0.16695卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)30 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大值250 mW
  • 频率 - 跃迁200MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装SOT-323