BC858CW是一款由恩智浦半导体(NXP)生产的NPN型高频晶体管,主要用于低噪声放大器、射频(RF)应用和高速开关电路中。该晶体管采用SOT-23封装,具有优异的高频特性和低噪声系数,适合于无线通信、射频接收器、音频放大器等高频应用领域。BC858CW的集电极-发射极电压(VCEO)为30V,集电极电流(IC)最大可达100mA,具有较高的增益带宽积(fT),使其在高频信号放大中表现出色。
晶体类型:NPN晶体管
封装类型:SOT-23
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
增益带宽积(fT):250MHz(典型值)
噪声系数(NF):1dB(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
电流增益(hFE):110至800(根据工作点不同)
BC858CW的主要特性之一是其低噪声性能,使其非常适合用于射频和音频信号的前置放大。在1kHz频率下,其噪声系数可低至1dB,这对提高接收器的灵敏度至关重要。
此外,该晶体管具有较高的增益带宽积(fT=250MHz),能够在高频条件下保持良好的放大性能,适用于无线通信和射频电路中的信号处理。
BC858CW的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800,这使得设计者可以根据具体应用选择合适的偏置点,以获得最佳的线性度和稳定性。
该器件的封装为SOT-23,体积小巧,适合高密度PCB布局,并具有良好的热稳定性和可靠性。
由于其低失真和高线性度,BC858CW也广泛用于音频放大器、低噪声前置放大器和高速开关电路中。
BC858CW广泛应用于无线通信设备中的射频放大器、混频器和振荡器电路,尤其是在VHF和UHF频段的接收系统中表现优异。
它也常用于音频放大器的前置级,特别是在对噪声敏感的高保真音频系统中。
此外,BC858CW还可用于高速开关电路、数字逻辑电路和脉冲放大器中,提供快速的响应和稳定的性能。
在汽车电子、消费电子和工业控制等领域,该晶体管也有广泛应用,如用于传感器信号放大、电源管理模块和通信接口电路。
BC848C、2N3904、BF199、BC547C