时间：2025/8/14 21:59:30
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BC858B_R1_00001 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 NPN 型双极性晶体管（BJT），属于通用型晶体管系列。该晶体管设计用于中等功率和开关应用，具有良好的稳定性和可靠性，广泛用于各类电子设备和电路中。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
电流增益（hFE）：110 至 800（根据不同等级）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
BC858B_R1_00001 具有多种优良的电气特性和物理特性，使其适用于广泛的电子应用。首先，该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，这使其能够处理中等功率级别的信号和电流，适合用于开关和放大电路。
其次，BC858B_R1_00001 的电流增益（hFE）范围较宽，从 110 至 800，具体取决于器件的等级（如 BC858B）。这种宽增益范围允许设计者根据具体需求选择合适的晶体管，以优化电路性能。
此外，该晶体管采用 SOT-23 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具有良好的热性能和电气性能。其最大功耗为 300 mW，能够在较高温度环境下稳定工作，适用于工业级和消费级电子产品。
BC858B_R1_00001 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表现出良好的温度适应性，能够在严苛环境下保持稳定运行。
BC858B_R1_00001 适用于多种电子电路设计，包括信号放大、开关控制、逻辑电平转换、LED 驱动、继电器驱动、音频放大器和传感器接口等应用。由于其优良的电气特性和紧凑的封装形式，该晶体管广泛用于消费电子产品、工业自动化设备、汽车电子系统和通信设备等领域。
例如，在数字电路中，BC858B_R1_00001 可用于驱动 MOSFET 或 IGBT，作为电平转换器或缓冲器使用。在模拟电路中，它可以用于音频放大器或射频信号放大。此外，该晶体管还可用于控制小型继电器或 LED 显示屏，实现高效的电流开关功能。
BC847B, 2N3904, BC547B
