型号：TRR1C12D50D
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：50A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　短路耐受能力：有
　　栅极驱动电压：+15V/-15V
　　导通压降：约2.1V（典型值）
　　最大功耗：300W
　　

TRR1C12D50D IGBT模块具有多项优异的性能特点。首先，其额定集电极-发射极电压为1200V，能够满足高电压应用的需求，适用于各种中高功率电力电子设备。其次，模块的额定集电极电流为50A，具备较强的电流承载能力，能够支持大功率负载的运行。
　　此外，TRR1C12D50D采用了先进的IGBT芯片技术，具有较低的导通压降（典型值约2.1V），从而降低了导通损耗，提高了整体能效。同时，该模块具备良好的短路耐受能力，能够在短时间承受过载电流，提高了系统的稳定性和可靠性。
　　在热性能方面，TRR1C12D50D采用了高效的散热结构，能够快速将热量传导出去，防止温度过高对器件造成损害。其工作温度范围为-40°C至+150°C，适应性广泛，适用于各种恶劣环境条件。模块还配备了双列直插式封装（DIP），便于安装和维护，同时提高了机械稳定性。

TRR1C12D50D IGBT模块广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。首先，在工业自动化领域，该模块常用于变频器和伺服驱动器中，用于控制电机的转速和扭矩，提高系统的能效和响应速度。其次，在可再生能源领域，TRR1C12D50D可用于太阳能逆变器和风力发电变流器中，实现直流电到交流电的高效转换，提高能源利用率。
　　此外，该模块还可用于电力储能系统和电动汽车充电设备中，承担高功率电能转换的任务。在轨道交通领域，TRR1C12D50D可以用于列车牵引变流器中，提供高效、稳定的电力转换支持。最后，在家电领域，该模块可用于大功率变频空调和电磁炉等设备中，提升产品的性能和能效。

TOSHIBA TGT1C12D50D, INFINEON FF50R12KS4P, ON SEMICONDUCTOR NGTB12N50FL2WG