类型: NPN晶体管
　　封装: SOT-23
　　最大集电极电流（Ic）: 100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）: 30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）: 30V
　　最大功耗（Ptot）: 300mW
　　增益带宽积（fT）: 100MHz
　　电流增益（hFE）: 110-800（根据不同等级）

BC858B 3K具有多种优良特性，使其适用于广泛的电子电路设计。首先，其SOT-23封装结构紧凑，适合用于高密度PCB布局，特别适用于便携式电子设备和小型化电路板。其次，该晶体管的最大集电极电流为100mA，能够满足大多数低功率开关和放大应用的需求。此外，BC858B的最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30V，确保其在较高电压环境下仍能稳定运行。
　　 BC858B的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，具体取决于器件的等级（例如BC858B的hFE可能分为不同等级，如hFE = 110-800）。这种高增益特性使其适用于信号放大电路，如音频放大器和射频放大器。此外，BC858B的增益带宽积为100MHz，能够在高频环境下保持良好的放大性能，适用于中频信号处理和开关电路。
　　 该晶体管的最大功耗为300mW，具有较好的热稳定性，适用于多种电子设备。由于其具备较高的可靠性、良好的电气特性和广泛的适用性，BC858B 3K被广泛用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。

BC858B 3K广泛应用于各种电子电路中，包括通用开关、信号放大、逻辑电平转换、驱动继电器和LED显示等。在数字电路中，该晶体管可用于驱动MOSFET或IGBT，实现高效的开关控制。在模拟电路中，BC858B可作为前置放大器或缓冲器，用于音频信号或传感器信号的放大。此外，该晶体管也常用于电源管理电路、DC-DC转换器和电池充电电路中。由于其良好的高频特性和可靠性，BC858B 3K还被广泛应用于通信设备、测试仪器和工业自动化系统。

BC848B, BC857B, 2N3904, 2N2222A