时间：2025/9/14 21:46:40
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BC857QASZ 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的双极型晶体管（BJT）器件，采用SOT-23（TO-236）封装形式。该晶体管属于通用型NPN晶体管，广泛应用于各种模拟和数字电路中，如开关电路、放大器、逻辑驱动电路以及功率控制电路。BC857系列晶体管具有高电流增益（hFE）、低饱和压降（VCE(sat)）和优良的温度稳定性，适合在工业自动化、消费电子、汽车电子等领域使用。
类型：NPN晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极-基极电压（VCBO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
集电极电流（IC）：100mA
功率耗散（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23（TO-236）
hFE（最小值）：110（在IC=2mA，VCE=5V）
VCE(sat)（最大值）：250mV（在IC=100mA，IB=5mA）
过渡频率（fT）：100MHz
BC857QASZ 晶体管具备多项优异的电气特性和封装优势，适用于多种通用电子电路设计。
首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为30V，集电极-基极电压（VCBO）为50V，允许该晶体管在中等电压应用中稳定工作，同时提供良好的过压保护能力。最大集电极电流为100mA，适用于小功率开关和信号放大应用。
其次，BC857QASZ 具有较高的电流增益（hFE），在IC=2mA，VCE=5V条件下，hFE最低可达110，分为多个等级（例如hFE分为110-800之间不同等级），可根据应用需求选择合适增益等级，提升电路的灵活性和性能。
再者，其饱和压降（VCE(sat)）在IC=100mA、IB=5mA时典型值为250mV，有助于降低导通损耗，提高能效。这对于电池供电设备或需要低功耗运行的系统尤为重要。
此外，该晶体管的工作温度范围为-55°C 至 +150°C，适用于较宽的工业和汽车应用环境，具有良好的热稳定性与可靠性。采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的散热能力。
最后，BC857QASZ 的过渡频率（fT）为100MHz，意味着其可在较高频率下保持良好的放大性能，适用于中高频模拟电路和数字开关电路。
BC857QASZ 晶体管由于其优异的性能和紧凑的封装，广泛应用于各类电子系统中。
在工业控制领域，BC857QASZ 常用于继电器驱动、传感器信号放大、逻辑电平转换和电源管理电路。其高电流增益和低饱和压降特性使其成为理想的小功率开关器件。
在消费电子产品中，该晶体管可用于LED驱动、音频放大、定时控制和接口电路等应用。SOT-23封装使其适用于便携设备如智能手机、平板电脑、穿戴设备和智能家居控制器等空间受限的设计。
在汽车电子方面，BC857QASZ 适用于车身控制模块、仪表盘显示驱动、灯光控制、电动窗控制等场景，其宽工作温度范围和高可靠性符合汽车环境的要求。
此外，该晶体管还可用于电源管理电路、继电器控制、马达驱动、模拟信号处理、数字逻辑门电路等广泛应用场景。
BC847QASZ, BC857W, BC857B, 2N3904, 2N2222, MMBT3904, PN2222
