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BC857AW-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 10:36:05 查看 阅读:9

BC857AW-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小信号PNP晶体管,采用SOT-23(SC-59)封装形式,适用于高密度印刷电路板设计。该器件广泛应用于便携式电子设备、通信系统以及各种通用开关和放大电路中。BC857AW-7-F属于BC857系列的一部分,该系列以其良好的电气性能、稳定的工作特性和高可靠性而著称。该晶体管在制造过程中符合RoHS环保标准,并且为无铅(Pb-free)产品,支持绿色电子产品设计。其“-7-F”后缀通常表示卷带包装(tape and reel),适合自动化贴片生产流程,提高大规模生产的效率。BC857AW-7-F具有优化的直流电流增益(hFE)和低饱和电压特性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能表现,是现代电子系统中常用的分立元器件之一。

参数

型号:BC857AW-7-F
  极性:PNP
  最大集电极-发射极电压(VCEO):60V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(Ptot):200mW
  直流电流增益(hFE):100 - 600(典型值范围,取决于测试条件)
  过渡频率(fT):200MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23 (SC-59)
  安装方式:表面贴装(SMD)
  导通电阻(饱和区):典型值低于1Ω(具体依偏置条件变化)
  热阻(Rth j-a):约625 K/W(PCB板上标准布局条件下)

特性

BC857AW-7-F具备优异的高频响应能力和稳定的直流偏置特性,使其在模拟与数字电路中均表现出色。其高电流增益(hFE)范围允许设计人员在不同工作电流下实现良好的线性放大效果或可靠的开关动作。例如,在音频前置放大器、信号缓冲级或逻辑驱动电路中,该晶体管能有效传递小信号并减少失真。由于其过渡频率高达200MHz,BC857AW-7-F也可用于射频前端模块中的低噪声放大或调制解调环节,尤其适合UHF频段以下的应用场景。
  该器件的低饱和压降(VCE(sat))确保了在开关模式下能量损耗最小化,提高了电源效率,特别适用于电池供电设备如智能手机、可穿戴设备和无线传感器节点。此外,SOT-23封装具有紧凑的外形尺寸(约2.9mm × 1.6mm × 1.1mm),极大地节省了PCB空间,适应高集成度电路布局需求。热稳定性方面,BC857AW-7-F能在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作,满足工业级和汽车电子应用的严苛环境要求。
  BC857AW-7-F还具备良好的反向击穿耐受能力,集电极-发射极击穿电压达60V,适用于多种稳压、电平转换和负载控制场合。其基极-发射极结具有一定的静电放电(ESD)防护能力,但仍建议在敏感环境中采取适当保护措施。制造工艺上,该器件采用先进的外延平面技术,确保了均匀的掺杂分布和一致的器件参数,从而提升了批次间的一致性和长期可靠性。同时,无铅封装符合现代环保法规,支持回流焊工艺,便于与主流SMT生产线兼容。

应用

BC857AW-7-F被广泛应用于各类消费类电子产品、通信设备、工业控制系统和汽车电子模块中。在便携式设备如手机、平板电脑和蓝牙耳机中,它常用于电源管理单元中的负载开关或LED背光驱动电路,利用其低功耗和快速响应特性延长电池寿命。在数字逻辑接口电路中,该晶体管可作为电平移位器或缓冲器,实现微控制器与外围设备之间的信号匹配。
  在模拟电路领域,BC857AW-7-F适用于小信号放大应用,如麦克风前置放大器、传感器信号调理电路等,凭借其较高的增益和较低的噪声水平,能够精确放大微弱输入信号。此外,在射频接收前端,它可以用于构建简单的调谐放大器或混频器组件,特别是在FM收音机或无线遥控模块中发挥重要作用。
  工业自动化系统中,BC857AW-7-F常用于继电器驱动、光电耦合器接口和电机控制电路中的开关元件,通过微弱控制信号实现对较大负载的通断操作。在汽车电子中,该器件可用于车身控制模块(BCM)、车灯控制、雨刷驱动等低压直流控制回路,其宽温域特性和高可靠性确保在恶劣环境下稳定运行。此外,由于其成本低廉且供货充足,BC857AW-7-F也是原型开发和教育实验平台中的常用元件,适合教学演示和电路验证使用。

替代型号

[
   "BC857AW",
   "BC857B",
   "MMBT3906",
   "BC327",
   "2N3906"
  ]

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BC857AW-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)125 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC857AW-7-F-NDBC857AW-7-FDITR