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BC848BWT1G 发布时间 时间:2025/4/27 17:40:57 查看 阅读:4

BC848BWT1G 是一款 NPN 型硅晶体三极管,属于 BC847/BC848/BC849 系列的小信号晶体管。它通常用于高频放大和开关应用。这款晶体管采用 SOT-323 封装,具有小型化和高可靠性的特点,适合应用于便携式设备和其他空间受限的场景。
  该系列晶体管以其低噪声、高增益和良好的频率特性而闻名,广泛适用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域。

参数

集电极-发射极电压:45V
  集电极电流:200mA
  直流电流增益(hFE):250~600
  功率耗散:315mW
  过渡频率(ft):300MHz
  存储温度范围:-55℃~150℃
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

BC848BWT1G 具有以下主要特性:
  1. 高增益:其直流电流增益 hFE 在 250 到 600 之间,能够提供稳定的放大性能。
  2. 高频能力:过渡频率 ft 达到 300MHz,适合高频信号处理。
  3. 小型封装:SOT-323 封装使其成为紧凑设计的理想选择。
  4. 宽温度范围:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内正常工作,适应各种环境条件。
  5. 可靠性高:具备优异的电气特性和机械稳定性。

应用

BC848BWT1G 晶体管的应用领域包括:
  1. 音频放大器中的前置放大级。
  2. 便携式电子设备中的开关电路。
  3. 脉冲宽度调制 (PWM) 控制器。
  4. 高速数据通信接口中的信号调节。
  5. 各种工业自动化系统中的小信号检测与放大功能。
  6. 电池供电设备中的节能模式切换电路。
  由于其高频性能,也常用于无线通信模块中的射频信号处理部分。

替代型号

BC847B, BC849B, MMBT3904LT1G

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BC848BWT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC848BWT1G-NDBC848BWT1GOSTR