您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BC848BW-7-F

BC848BW-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 10:09:10 查看 阅读:12

BC848BW-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小信号NPN双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23(SC-59)小型封装,广泛应用于便携式电子设备和高密度PCB设计中。该器件属于通用放大和开关应用的硅晶体管系列,具有良好的线性放大特性和快速开关响应能力。BC848系列晶体管在性能上与经典的BC848系列引脚兼容,并针对现代自动化装配工艺进行了优化。其“W”后缀表示器件为无铅(Lead-Free)且符合RoHS环保标准,“-7-F”代表卷带包装形式,适用于自动贴片机的大规模生产使用。该晶体管基极、发射极和集电极的结构设计使其能够在低电压、低电流条件下高效工作,适合用于电源管理、信号调理、逻辑接口驱动以及各种模拟和数字电路中的开关控制功能。由于其体积小巧、可靠性高且成本低廉,BC848BW-7-F被广泛用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、LED驱动模块、传感器接口、DC-DC转换器偏置电路等场景。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):0.25V @ IC=10mA, IB=0.5mA
  直流电流增益 (hFE):220 至 475 @ IC=2mA, VCE=5V
  最大集电极电流 (IC):100mA
  最大集电极-发射极电压 (VCEO):30V
  最大集电极-基极电压 (VCB):30V
  最大发射极-基极电压 (VEB):5V
  最大功耗 (Ptot):200mW @ TA=25°C
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  增益带宽积 (fT):100MHz @ IC=10mA, VCE=5V
  封装类型:SOT-23 (SC-59)

特性

BC848BW-7-F具备优异的直流电流增益(hFE)特性,典型值在220至475之间,测试条件为IC=2mA、VCE=5V,这一宽范围的增益表现使其能够适应多种模拟放大应用场景,例如音频前置放大、传感器信号放大及微弱信号处理电路。该晶体管的高增益稳定性确保了在不同工作温度和负载条件下仍能维持一致的放大性能,从而提升了系统的可靠性和一致性。
  其频率响应特性出色,增益带宽积(fT)可达100MHz,表明该器件不仅适用于直流和低频开关操作,也可用于高频小信号放大场合,如射频前端模块中的缓冲级或本地振荡信号放大。这种高频能力使得BC848BW-7-F在通信设备、无线传感节点和高速数字接口中表现出良好的动态响应。
  该器件的最大集电极电流为100mA,集电极-发射极耐压达30V,能够在较宽的电压范围内安全运行,适用于多种低压电源系统(如3.3V、5V或12V供电环境)。同时,其集电极-发射极饱和电压较低,在IC=10mA时仅为0.25V,意味着在开关模式下导通损耗小,有助于提高能效并减少发热。
  SOT-23封装具有紧凑的物理尺寸(约2.8mm x 1.6mm x 1.1mm),非常适合空间受限的应用场景,如可穿戴设备、移动终端和高密度印刷电路板设计。此外,该封装具备良好的热传导性能和焊接可靠性,支持回流焊和波峰焊工艺,满足工业级量产需求。
  BC848BW-7-F符合RoHS指令要求,不含铅等有害物质,并通过了严格的可靠性测试,包括高温存储、温度循环和湿度敏感度等级评估(MSL-1),确保在恶劣环境下的长期稳定运行。其宽广的工作结温范围(-55°C至+150°C)也使其适用于工业控制、汽车电子外围电路等对环境适应性要求较高的领域。

应用

BC848BW-7-F常用于各类小信号放大和开关电路中,典型应用包括音频信号放大器的前置级、运算放大器输入缓冲、逻辑电平转换器、LED灯驱动开关、继电器或蜂鸣器控制接口、电源使能控制、ADC输入多路复用驱动以及各类传感器信号调理电路。此外,它还广泛应用于便携式消费电子产品中的DC-DC转换器偏置电路、电池管理系统中的状态指示控制、通信接口隔离驱动等场景。其SOT-23封装形式特别适合自动化贴片生产线,因此在大规模制造的电子设备中具有很高的实用价值。

替代型号

[
   "BC848B,215",
   "MMBT3904",
   "2N3904",
   "BC848C",
   "BC848AW-7-F"
  ]

BC848BW-7-F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BC848BW-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换300MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)