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BC848BT116 发布时间 时间:2022/12/29 14:32:25 查看 阅读:297

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V

    

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA, 100mA

    电流 - 集电极截止(最大):-

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA, 5V

    功率 - 最大:350mW

    频率 - 转换:200MHz

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:*


资料

厂商
ROHM Semiconductor

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BC848BT116参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大350mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SST3
  • 包装带卷 (TR)