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BC848B-TP 发布时间 时间:2025/5/12 13:24:04 查看 阅读:16

BC848B-TP是一种NPN型双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),广泛用于各种电子电路中的开关和放大应用。该器件采用TO-92封装形式,具有小尺寸、高可靠性和良好的电气性能,适用于消费类电子产品、工业控制和其他低功率应用场合。
  BC848B-TP的主要特点是其优异的电流增益特性、较低的饱和电压以及较高的集电极-发射极击穿电压,这使其成为许多通用电路设计的理想选择。

参数

集电极最大电流:100mA
  集电极-发射极击穿电压:50V
  发射极-基极击穿电压:6V
  最大耗散功率:310mW
  直流电流增益(hFE):100~450
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

BC848B-TP作为一款高性能的小信号NPN晶体管,具备以下主要特性:
  1. 高电流增益(hFE范围为100至450),确保在不同负载条件下提供稳定的放大性能。
  2. 较低的饱和电压(Vce(sat)),有助于提高效率并减少功耗。
  3. TO-92封装设计紧凑,便于在空间受限的应用中使用。
  4. 工作温度范围广(-55℃至+150℃),能够适应各种环境条件。
  5. 出色的热稳定性和可靠性,适合长期运行的设备。

应用

BC848B-TP晶体管通常应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的音频信号放大和处理。
  2. 工业自动化设备中的信号切换和逻辑控制。
  3. 开关电源和稳压器中的驱动级电路。
  4. 继电器驱动、LED驱动和小型电机控制。
  5. 各种传感器接口电路中的信号调理功能。
  6. 数据通信系统中的低噪声放大模块。

替代型号

BC847B, BC337, 2N3904

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BC848B-TP参数

  • 产品培训模块Diode Handling and Mounting
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC848B-TPMSTR