BC848-C-RTK 时间：2025/9/11 9:32:35 阅读：8

BC848-C-RTK 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的 NPN 双极性晶体管（BJT），属于通用型晶体管系列。该器件采用 SOT-23（小型表面贴装）封装，适用于广泛的应用领域，包括信号放大、开关电路、数字逻辑电路以及低功耗电子系统。BC848 系列晶体管根据电流增益（hFE）分为不同等级，其中后缀“C”表示 hFE 的中等增益等级，适合大多数通用用途。BC848-C-RTK 是专为工业和消费类电子设备设计的高性能晶体管，具有高可靠性和稳定性。

参数

类型：NPN 双极性晶体管
　　封装：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压 VCEO：30 V
　　最大集电极-基极电压 VCBO：30 V
　　最大发射极-基极电压 VEBO：5 V
　　最大集电极电流 IC：100 mA
　　最大功耗 PD：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　电流增益 hFE（@ IC=2 mA, VCE=5 V）：110 ~ 800（根据等级）
　　过渡频率 fT：100 MHz
　　饱和压降 VCE(sat)（@ IC=100 mA, IB=5 mA）：最大 0.25 V

特性

BC848-C-RTK 的主要特性包括其优异的电流增益稳定性，适合在广泛的温度范围内工作，适用于各种低频和中频模拟电路。该晶体管具备良好的开关性能，能够在数字电路中用作电子开关，同时其过渡频率（fT）高达 100 MHz，使其适用于中高频放大电路。SOT-23 封装使得该晶体管非常适合表面贴装工艺，节省 PCB 空间，提高了电路设计的灵活性。
　　此外，BC848-C-RTK 的最大集电极电流为 100 mA，功耗为 300 mW，适用于中低功率应用。该晶体管在工作温度范围 -55°C 至 +150°C 内保持稳定性能，适用于工业级和消费级电子产品。其较高的集电极-发射极击穿电压（30 V）使其在多种电源条件下都能可靠运行，适用于多种电压等级的系统设计。
　　该晶体管的饱和压降较低，通常在 0.25 V 左右，有助于减少开关损耗并提高能效。hFE 值的中等增益等级（110 ~ 800）提供了良好的信号放大能力，适用于音频放大器、信号调理电路以及各种控制电路。由于其广泛适用性和良好的电气性能，BC848-C-RTK 被广泛用于电子设计中的基本构建模块。

应用

BC848-C-RTK 适用于多种电子电路应用，包括但不限于以下领域：信号放大器（如音频前置放大器）、数字逻辑电路的开关控制、继电器和 LED 驱动、电源管理电路、传感器接口电路以及各种低功耗电子设备中的基本晶体管功能。该晶体管也常用于嵌入式系统、工业自动化、消费类电子产品（如家用电器、便携式设备）以及通信设备中。由于其优异的频率响应特性，BC848-C-RTK 还可用于中频放大电路和 RF 前端设计中的低噪声放大器。其 SOT-23 小型封装也使其成为空间受限设计的理想选择。