类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：80V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：250mW
　　直流电流增益（hFE）：200 - 450
　　过渡频率（fT）：300MHz
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)

BC847BF具备优异的电气性能和稳定性，其核心特性之一是高电流增益（hFE），典型范围为200至450，这使得它在小信号放大应用中表现出色，能够有效增强微弱输入信号而不引入过多噪声。该特性使其非常适合用于前置放大器、传感器信号调理电路以及音频信号处理模块。同时，由于其增益分布集中且一致性好，批量使用时可减少外围补偿电路的设计复杂度。
　　另一个关键特性是其高频响应能力，过渡频率（fT）高达300MHz，意味着该晶体管可以在较高频率下保持良好的增益特性，适用于高频开关和射频前端电路。这一性能优势使BC847BF不仅可用于传统的直流或低频开关控制，还能胜任诸如振荡器、脉冲驱动和数字逻辑门驱动等高速应用场景。
　　热稳定性方面，BC847BF采用先进的硅外延工艺制造，确保了在宽温度范围内（-55℃至+150℃）的可靠运行，适用于工业级和汽车级环境。其SOT-23封装具有较小的寄生电感和电容，有利于提升高频性能，并便于实现自动化贴片装配，降低生产成本。此外，该器件的低饱和压降（VCE(sat)）典型值仅为0.07V至0.2V（在IC=10mA时），显著降低了导通损耗，提高了能效。
　　BC847BF还具备良好的互换性和兼容性，引脚排列符合标准三极管定义（1:发射极，2:基极，3:集电极），可直接替换同系列其他型号（如BC847C、BC817等），简化了电路设计与物料管理。整体而言，该器件结合了高性能、小型化和高可靠性，是现代电子系统中理想的通用型NPN晶体管选择。

BC847BF广泛应用于各类中小功率电子系统中，尤其适合作为开关和放大元件。在数字电路中，常用于驱动LED、继电器、小型蜂鸣器及逻辑电平转换电路，凭借其快速开关响应和低驱动电流需求，可在微控制器输出端与负载之间构建高效的接口电路。例如，在单片机I/O口扩展应用中，BC847BF能够将低电流信号放大以控制更高功率的负载，同时提供电气隔离保护主控芯片。
　　在模拟信号处理领域，该晶体管可用于构建共发射极放大器、差分对管、有源滤波器和信号缓冲级，尤其适合处理音频频率范围内的小信号。其高增益和低噪声特性使其成为麦克风前置放大、传感器信号增强等精密测量系统的理想选择。
　　此外，BC847BF也常见于电源管理电路中，如低压线性稳压器的误差放大反馈级、电池充电指示电路或过流检测模块。在通信设备中，可用于RS-232电平转换、光耦驱动或红外发射控制电路。
　　由于其SOT-23封装体积小，BC847BF特别适用于智能手机、可穿戴设备、智能家居模块、无线传感器节点等空间受限的产品。工业自动化系统中，也被用于PLC输入输出模块、光电开关和电机控制单元。总体来看，其多功能性和高可靠性使其成为跨行业广泛应用的基础元器件。

BC847B, BC847C, BC817, MMBC847B, FMMT847B