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BC817W,135 发布时间 时间:2025/9/14 11:02:56 查看 阅读:8

BC817W,135是一款由NXP Semiconductors制造的NPN型双极性晶体管(BJT),属于小型信号晶体管类别。该晶体管采用SOT-323(也称为SC-70)封装,是一款适用于通用放大和开关应用的经济型器件。其设计用于低电压、低电流操作,广泛应用于便携式电子设备、逻辑电路、传感器接口和小型信号处理电路中。BC817W系列晶体管具备良好的稳定性和高频响应特性,同时具备较低的饱和压降,适用于对功耗敏感的设计。

参数

类型: NPN型双极性晶体管(BJT)
  封装: SOT-323 (SC-70)
  最大集电极电流(Ic): 100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vceo): 45 V
  最大集电极-基极电压(Vcbo): 50 V
  最大基极电流(Ib): 5 mA
  最大功耗(Ptot): 300 mW
  增益带宽积(fT): 100 MHz
  电流增益(hFE): 最小110,最大800(根据等级不同)
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C

特性

BC817W,135晶体管具备多个优良特性,使其在通用电子电路设计中广受欢迎。
  首先,该晶体管的最大集电极电流为100 mA,适用于低功耗信号放大和开关控制应用,例如在微控制器驱动LED、继电器或小型马达的场合中非常常见。其次,其集电极-发射极击穿电压(Vceo)为45 V,使其在一般低电压系统中具备良好的电压耐受能力。
  该晶体管的电流增益(hFE)范围宽广,从110到800不等,具体数值取决于等级(如hFE等级为h11, h14等),使得用户可以根据设计需求选择合适的增益等级。此外,其增益带宽积达到100 MHz,表明其在较高频率下仍能保持良好的放大性能,适用于射频前端和中频放大电路。
  BC817W,135采用SOT-323封装,体积小巧,适用于高密度PCB布局。该封装还具备良好的热性能,可在较宽的工作温度范围内(-55°C 至 +150°C)稳定工作,适用于工业级和消费类电子产品。
  此外,该晶体管的饱和压降(Vce_sat)较低,有助于降低导通状态下的功率损耗,提高能效,适用于电池供电设备和低功耗系统设计。

应用

BC817W,135晶体管广泛应用于各种电子电路中,主要作为开关或信号放大器件使用。
  在数字电路中,它常被用作逻辑门的驱动器或微控制器的输出级,用于控制LED、小型继电器、蜂鸣器等外围设备。在模拟电路中,BC817W,135可作为低噪声前置放大器、音频放大器中的推动级或射频放大器中的增益级,其高增益带宽积使其适用于中高频信号处理。
  此外,该晶体管也常用于传感器信号调理电路中,如温度传感器、光敏传感器或压力传感器的信号放大和开关控制。由于其低功耗和小型封装,BC817W,135也被广泛应用于便携式电子产品,如智能手机、智能手表、无线耳机和可穿戴设备中。
  在电源管理电路中,BC817W,135可以用于小型DC-DC转换器或线性稳压器的控制电路,作为反馈回路中的开关或调节元件。在工业自动化系统中,该晶体管可用于驱动继电器、电磁阀或小型执行器,实现逻辑控制与功率驱动之间的接口转换。

替代型号

BC807W,135(PNP互补型号), BC817-25,135(增益等级不同), 2N3904, MMBC817-25, 2N2222

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BC817W,135参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)700mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934021910135BC817W /T3BC817W /T3-ND