型号：10N70-ML
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：700V
　　漏极电流（Id）：10A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值约1.0Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约180pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值约45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

10N70-ML的核心特性之一是其高达700V的漏源击穿电压，使其非常适合应用于需要直接接入整流后市电的离线式开关电源设计中。在AC-DC转换器中，特别是在反激式（Flyback）拓扑结构中，该器件可作为主开关管使用，能够承受来自变压器初级侧的高压尖峰并实现高效的能量传递。其10A的连续漏极电流能力也意味着它可以支持中等功率等级的应用，例如60W至150W范围内的电源系统，满足大多数消费类及工业类设备的需求。
　　另一个关键特性是其相对较低的导通电阻（Rds(on)），典型值约为1.0Ω。这一参数直接影响到导通状态下的功率损耗（P = I2 × R），因此对于提升系统效率至关重要。虽然相较于低压MOSFET而言该阻值偏高，但在700V级别的高压器件中已属于较为优异的水平。通过优化内部芯片结构和材料工艺，制造商在不牺牲耐压性能的前提下有效降低了导通损耗，从而减少了对散热系统的依赖，有助于缩小整体电源体积。
　　该器件还具备良好的动态特性，包括合理的输入和输出电容值，以及可控的栅极电荷量。这些参数共同决定了MOSFET在高频开关过程中的响应速度和驱动功耗。较低的栅极电荷意味着可以用较小的驱动电流实现快速开关，有利于减少开关损耗，尤其在几十kHz到上百kHz的工作频率下表现良好。同时，其反向恢复时间较短，配合快恢复二极管或在准谐振电路中使用时，能有效抑制电压振铃和电磁干扰（EMI）。
　　热稳定性方面，10N70-ML采用了高可靠性的封装技术，确保在高温环境下仍能维持正常工作。TO-220封装具备良好的热传导路径，可通过外接散热片将结温有效传导至环境，延长器件寿命。此外，该器件通过了多项国际安全与可靠性认证，符合RoHS环保要求，适用于出口型电子产品和工业级应用场景。

10N70-ML广泛应用于各类需要高电压开关功能的电力电子系统中。最常见的用途是在AC-DC开关电源中作为主功率开关器件，尤其是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）等隔离型拓扑结构中。这类电源常见于电视、显示器、打印机、路由器、LED驱动电源等消费类电子产品中，要求器件具备高耐压、高效率和高可靠性。由于10N70-ML的700V耐压能力足以应对全球通用交流输入（85V~265V AC）经桥式整流后的直流母线电压（约380V~400V），并留有足够裕量以吸收电压尖峰，因此成为此类设计的理想选择。
　　在工业电源领域，该器件可用于PLC电源模块、工控机供电单元、小型UPS不间断电源等设备中。这些应用通常对长期运行稳定性和抗干扰能力有更高要求，而10N70-ML的稳健设计和成熟工艺能够满足严苛环境下的使用需求。此外，在LED照明电源中，特别是大功率户外LED灯具所用的恒流驱动电源中，10N70-ML也被广泛采用，用于实现高效的电能转换与稳定的输出控制。
　　除电源应用外，10N70-ML还可用于DC-DC升压或降压变换器中，特别是在输入电压较高的场合，如太阳能微逆变器、电池管理系统（BMS）中的辅助电源等。其快速开关能力和良好的热性能使其能在复杂负载条件下保持高效运行。另外，在电机驱动、电焊机、感应加热等小功率电力电子装置中，也可作为功率开关元件使用，发挥其高耐压和较强电流承载能力的优势。

STP10NK70ZFP
　　FQP10N70
　　KSP10N70
　　SGH10N70U