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TISP4070L3BJR-S 发布时间 时间:2025/8/30 17:15:32 查看 阅读:10

TISP4070L3BJR-S 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款双向电压抑制二极管(TVS - Transient Voltage Suppressor),用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其它瞬态电压的损害。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术,能够在极短的时间内响应并钳位电压,从而有效保护下游的电子元件。TISP4070L3BJR-S 采用 SOT-23-5 封装,适用于各种便携式设备和高密度电路板设计。

参数

类型:双向TVS二极管
  工作电压:40V
  击穿电压:44.4V - 48.9V
  钳位电压:70V @ 1A
  峰值脉冲电流(10/1000μs):1A
  响应时间:小于1ns
  封装形式:SOT-23-5

特性

TISP4070L3BJR-S 具有卓越的瞬态电压保护性能,适用于需要高可靠性的应用场合。其主要特性包括快速响应时间(小于1ns),能够在瞬态事件发生的第一时间对电路进行保护。该器件具有低漏电流,通常在微安级别以下,因此对系统的正常运行影响极小。此外,TISP4070L3BJR-S 的双向保护特性使其非常适合用于交流信号线路或需要对正负电压瞬态进行对称保护的应用。其采用SOT-23-5封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并且易于实现自动化装配。
  TISP4070L3BJR-S 的击穿电压范围为44.4V至48.9V,确保在正常工作电压40V下不会触发保护机制,从而避免误动作。同时,其最大钳位电压为70V,在1A的测试电流下保持较低的钳位电压,从而减少对被保护器件的应力。该器件能够承受高达1A的峰值脉冲电流(根据10/1000μs波形定义),确保在高能量瞬态事件中仍能保持稳定性能。此外,TISP4070L3BJR-S 的封装符合 RoHS 标准,适合环保型电子产品设计。

应用

TISP4070L3BJR-S 主要用于电子设备中对敏感电路进行瞬态电压抑制保护。典型应用包括通信设备、工业控制系统、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)、汽车电子模块以及各类传感器接口。具体来说,它可以用于保护USB接口、HDMI接口、RS-485通信线路、CAN总线、音频/视频输入输出端口等。由于其双向特性,TISP4070L3BJR-S 特别适合用于交流信号线路或需要对正负方向瞬态电压都进行保护的场合,例如以太网供电(PoE)接口、电机控制电路和电源输入端的初级保护。此外,它也可以作为二级保护器件,与压敏电阻或气体放电管配合使用,构建多层次的过电压保护方案,以提升系统的整体可靠性。

替代型号

PESD5V0S1BA; SMAJ40CA; SMBJ40CA; TPD3E081; ESD9L5.0ST5G

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TISP4070L3BJR-S参数

  • 标准包装3,000
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 晶闸管
  • 系列-
  • 电压 - 击穿70V
  • 电压 - 断路58V
  • 电压 - 导通状态3V
  • 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)300A
  • 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)-
  • 电流 - 保持 (Ih)120mA
  • 元件数1
  • 电容48pF
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 包装带卷 (TR)