时间：2025/9/13 22:26:40
阅读：8
BC807K-25VL是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管广泛应用于各种通用开关和放大电路中，特别适用于需要较高电流增益（hFE）和低饱和压降（VCE(sat)）的场合。BC807K-25VL采用SOT-323（也称为SC-70）小型表面贴装封装，适用于高密度PCB布局。该型号晶体管的电流增益（hFE）在特定工作点下通常为110至800，具体取决于测试条件。该器件符合RoHS标准，适用于无铅工艺。
类型：NPN双极型晶体管
最大集电极电流（IC）：100 mA
最大集电极-发射极电压（VCEO）：45 V
最大集电极-基极电压（VCBO）：50 V
最大发射极-基极电压（VEBO）：5 V
最大功耗（PD）：300 mW
电流增益（hFE）：110 - 800（@ IC = 2 mA, VCE = 5 V）
频率响应（fT）：100 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-323（SC-70）
BC807K-25VL是一款适用于多种通用电子电路的NPN型晶体管，具有良好的电流放大能力和稳定的性能。其主要特点之一是具有较高的电流增益（hFE），在不同的测试条件下可以达到110至800，这使得它非常适合用于信号放大和开关应用。此外，该晶体管的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，在IC为100 mA时通常低于300 mV，从而降低了功耗并提高了能效。
BC807K-25VL采用了SOT-323封装，这种小型封装非常适合用于高密度印刷电路板（PCB）设计，并支持自动化装配流程。其最大集电极电流为100 mA，适用于中等功率的开关控制应用。晶体管的工作电压范围较宽，集电极-发射极最大电压（VCEO）为45 V，集电极-基极电压（VCBO）可达50 V，使其能够在多种电压条件下稳定工作。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有良好的热稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。其频率响应特性（fT）可达100 MHz，因此在高频放大电路中也有一定的应用潜力。BC807K-25VL还具有良好的抗静电能力（ESD）和可靠性，适合在多种环境条件下使用。此外，该晶体管符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造的环保要求。
BC807K-25VL广泛应用于各种电子设备和电路中，主要用于信号放大、数字开关控制和接口电路。例如，在微控制器系统中，它可以用作驱动LED、继电器、小型电机或其他负载的开关晶体管。由于其低饱和压降和良好的电流放大能力，常用于电源管理和DC-DC转换电路中。
在工业控制和自动化系统中，BC807K-25VL可用于传感器信号放大、逻辑电平转换以及继电器驱动等场合。此外，在通信设备、消费电子产品和汽车电子系统中，该晶体管也可用于各种低频放大和开关控制电路。由于其封装小巧，适合用于便携式设备和空间受限的应用中。在音频放大电路中，BC807K-25VL可作为前级放大器或驱动级使用。此外，它还可用于电源逆变器、电池充电器、电机控制模块以及各种嵌入式系统的外围电路中。
BC807K-25W、BC847K、BC817K、2N3904、2N2222A
