DHCE2652 SR278 时间：2025/5/30 11:19:39 阅读：11

DHCE2652 SR278是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　该型号结合了优异的热性能和可靠的电气特性，适用于需要高效率和高稳定性的电子电路设计。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　持续漏极电流(ID)：32A
　　导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ
　　总闸极电荷(Qg)：49nC
　　输入电容(Ciss)：1840pF
　　输出电容(Coss)：38pF
　　反向传输电容(Crss)：38pF
　　工作温度范围：-55°C to 175°C

特性

DHCE2652 SR278具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻(RDS(on))，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
　　2. 快速开关速度和低栅极电荷，支持高频操作同时降低开关损耗。
　　3. 高雪崩能力和高耐用性，确保在恶劣条件下可靠运行。
　　4. 紧凑的封装形式，节省PCB空间并简化布局设计。
　　5. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
　　这些特性使得该芯片成为众多高功率密度应用的理想选择。

应用

DHCE2652 SR278适用于多种电力电子场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中作为功率开关或同步整流元件。
　　3. 电机驱动中的半桥或全桥配置。
　　4. 工业设备中的负载切换与保护。
　　5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
　　其高效率和可靠性使其非常适合于对性能要求严格的现代电子产品。