晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：160至400（在IC=2mA，VCE=5V时）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

BC807-25 5B (160-400) 晶体管具有较高的电流增益，适用于需要高稳定性的低频放大应用。该器件的hFE值范围为160至400，表明其具有良好的放大能力。由于其封装为SOT-23，因此体积小巧，适合在空间受限的PCB布局中使用。
　　其工作频率可达100MHz，使得该晶体管适用于中频放大和高速开关应用。晶体管的基极-发射极和集电极-发射极的电压限制分别为5V和30V，确保在常规应用中不会出现击穿现象。BC807-25的功耗为300mW，适合在低功耗设计中使用。
　　此外，BC807-25 5B晶体管在工业温度范围内（-55°C至+150°C）能够保持稳定的性能，使其适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。

BC807-25 5B (160-400) 晶体管主要用于低功率放大器、信号处理电路和逻辑开关应用。其常见的应用包括音频放大器、传感器信号调理电路、数字逻辑电路中的开关元件，以及各种便携式电子设备中的电源管理和控制电路。此外，该晶体管还可用于LED驱动电路、继电器控制、马达驱动等应用场景。

BC807-25 5B (160-400) 的替代型号包括BC807-25CEM、BC807-25W、BC807-25BO、BC807-25BK、BC807-25X。这些型号在电气特性上与BC807-25 5B相似，但可能在封装或测试条件上略有不同。