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BB814E6327GR1 发布时间 时间:2025/5/10 13:53:01 查看 阅读:20

BB814E6327GR1是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-263-3表面贴装封装,适用于多种功率转换和开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能电源管理的理想选择。
  BB814E6327GR1主要针对需要高效率、高可靠性的场景设计,例如适配器、充电器、DC-DC转换器等。它具备出色的热性能和电气性能,能够在较宽的电压范围内稳定运行。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻:1.3Ω
  栅极电荷:12nC
  总功耗:1.3W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装类型:TO-263-3

特性

BB814E6327GR1具有以下关键特性:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压为650V,适合高压环境下的应用。
  2. 极低的导通电阻(1.3Ω),能够显著减少导通损耗,提升系统效率。
  3. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷(12nC),适合高频开关应用。
  4. 优异的热稳定性,可在极端温度条件下(-55℃至+150℃)保持正常工作。
  5. 表面贴装封装(TO-263-3),便于自动化生产和小型化设计。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子设备的要求。

应用

BB814E6327GR1广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的初级侧开关。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池充电器和适配器。
  4. 电机驱动和负载切换。
  5. 各类工业控制和消费电子设备中的功率管理电路。
  6. 保护电路,如过流保护和短路保护。

替代型号

NTD8142P
  FDP5500
  IRF640
  STP19NF55

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