BB669 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)制造的硅变容二极管(Silicon Varactor Diode),主要用于射频(RF)和微波应用中的频率调谐功能。该器件在电压变化的作用下可以改变其结电容,从而实现对振荡器、滤波器和其他调谐电路的控制。BB669 具有宽电容调谐范围、高 Q 值和低插入损耗等优点,适用于通信设备、无线基础设施、调频收发器等高频电路。
类型:硅变容二极管
最大反向电压:30V
标称电容 @ 1MHz:13.5 pF
电容范围(Vr=2V 至 20V):约 3.5pF 至 13.5pF
Q 值(品质因数)@ 50MHz:≥ 300
封装类型:SOD-23
极性:单阳极
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
BB669 的核心特性在于其优异的变容性能和高频响应能力,这使其在射频调谐电路中表现出色。
首先,该器件的电容调谐范围广泛,能够在 2V 至 20V 的反向偏置电压下实现从约 3.5pF 到 13.5pF 的电容变化,为电路调谐提供了较大的灵活性。
其次,BB669 的 Q 值高达 300 以上,表明其在高频下具有较低的损耗,有利于提升电路的整体效率和信号质量。
此外,BB669 采用 SOD-23 小型表面贴装封装,便于在现代高密度 PCB 设计中使用,并具有良好的热稳定性和可靠性。
其宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)也确保了其在各种恶劣环境下的稳定运行。
BB669 被广泛应用于需要电压控制电容的射频与微波电路中。典型应用包括压控振荡器(VCO)、频率合成器、可调滤波器以及无线通信系统中的调谐电路。
在无线基础设施中,BB669 常用于基站和射频收发器中的本地振荡器调谐,以确保信号频率的稳定与精确。
此外,该器件也适用于汽车电子系统、卫星通信设备以及工业测试仪器中的高频调谐应用。
由于其高频性能和稳定特性,BB669 也常被用于 FM 接收器、CATV 系统和无线传感器网络中的射频前端设计。
BB668, BB670, BB671, SMV1230