BB659CE7840是一款高性能的双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),主要用于高频和高速开关应用。该器件具有低噪声、高增益和快速响应的特点,适合在通信设备、信号放大器和射频电路中使用。
该晶体管采用SOT-23封装,具有较小的体积和良好的热性能,便于在高密度电路板上进行布局。此外,其设计符合RoHS标准,确保环保要求。
集电极-发射极电压:30V
集电极电流:150mA
直流电流增益(hFE):200-450
最大功耗:340mW
过渡频率(fT):1GHz
工作温度范围:-55℃ to 150℃
1. 高频性能,适用于射频和高速开关应用。
2. 小型化SOT-23封装,节省空间并优化散热。
3. 高直流电流增益,提供稳定的信号放大能力。
4. 宽工作温度范围,确保恶劣环境下的可靠性。
5. 环保材料,符合RoHS标准。
1. 高频放大器和振荡器电路。
2. 射频模块和无线通信设备。
3. 高速开关电路。
4. 便携式电子设备中的信号处理。
5. 工业控制和传感器接口电路。
MMBT3904LT1G
BC847B
2N3904