BB502MBS-TL 时间：2025/12/26 11:27:52 阅读：13

BB502MBS-TL是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的双极性晶体管阵列，采用两个匹配的NPN晶体管集成在一个微型表面贴装封装中。该器件专为高频、低功耗模拟和数字开关应用而设计，广泛用于通信系统、信号调理电路、驱动电路以及需要高一致性和热耦合性能的场合。BB502MBS-TL采用了先进的制造工艺，确保了两个晶体管之间具有高度匹配的电气特性，如增益、阈值电压和温度响应，这使得它在差分放大器、电流镜、有源负载等精密模拟电路中表现出色。其SOT-363（SC-88）小型化封装不仅节省PCB空间，还提高了组装密度，适用于便携式电子设备和高集成度电路板设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业级温度范围内的长期运行。

参数

类型：双NPN晶体管阵列
　　封装/外壳：SOT-363（SC-88）
　　配置：共发射极配对
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：2 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　总功耗（Ptot）：200 mW
　　直流电流增益（hFE）：100 @ IC = 1 mA
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

BB502MBS-TL的核心优势在于其两个NPN晶体管的高度匹配性与热耦合性能，这是通过在同一硅片上制造两个晶体管实现的。这种结构确保了两者在温度变化时能够同步响应，极大减少了因温差引起的漂移误差，特别适用于构建高性能的差分对放大器和精密电流镜电路。每个晶体管的过渡频率高达250MHz，使其能够在射频前端、高速开关和缓冲电路中有效工作。器件的VCEO额定值为50V，在同类小信号晶体管中属于较高水平，增强了其在电源电压波动较大环境下的适应能力。
　　该器件的hFE典型值为100（测试条件IC=1mA），并具有较窄的分散性，提升了电路的一致性和可预测性。SOT-363封装具有优异的热传导性能和低寄生参数，有助于提高高频响应和稳定性。此外，整个器件经过无铅认证，符合现代绿色电子产品的制造要求。其小型化设计特别适合智能手机、无线模块、传感器接口、音频前置放大器等对空间敏感的应用场景。由于其良好的线性特性和低噪声表现，BB502MBS-TL也常被用于模拟信号处理路径中的增益单元或电平转换级。整体而言，该器件结合了高性能、高一致性与紧凑封装，是替代分立晶体管组合的理想选择。

应用

广泛应用于便携式消费类电子产品中的信号放大与切换功能，例如手机、平板电脑和可穿戴设备中的音频输入输出路径；在通信系统中用作射频缓冲器或本地振荡器驱动电路；作为精密模拟电路中的差分对，用于运算放大器输入级或ADC/DAC偏置网络；在电源管理电路中构建带隙基准源或温度传感单元；也可用于LED驱动、继电器控制和逻辑电平转换等数字开关应用。此外，因其良好的匹配特性，常用于工业传感器信号调理模块中以提升测量精度。