类型：NPN晶体管阵列
　　晶体管数量：4个
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　封装形式：16-DIP、16-SOIC

BAX13晶体管阵列的一个显著特点是其高度集成性，能够在单一芯片上提供四个独立的NPN晶体管，这有助于减少PCB板的空间占用并简化电路设计。每个晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，通常分为不同档位（如hFE=110-800），以适应不同的放大需求。
　　该器件的工作温度范围较宽，通常为-55°C至+150°C，使其适用于各种工业环境。BAX13的高频特性良好，增益带宽积可达100MHz，适合用于中高频放大电路。
　　此外，BAX13的每个晶体管之间具有良好的匹配性，这对于需要多个晶体管协同工作的电路（如差分放大器、推挽输出级等）非常重要。器件的功耗较低，典型值为300mW，有助于提高系统的能效并减少散热需求。

BAX13常用于工业控制电路中的信号处理和放大，例如在传感器信号调理电路中作为前置放大器。它也广泛应用于音频放大器、逻辑电平转换、驱动继电器或LED显示屏等负载控制场景。
　　在数字电路中，BAX13可以作为晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路的一部分，用于实现逻辑门或缓冲器功能。在模拟电路中，它可用于构建差分放大器、射极跟随器等常见拓扑结构。
　　由于其高集成度和良好的性能，BAX13还被用于通信设备、测试仪器和自动化系统中。

ULN2003, ULN2004, BCX56