FCP190N60E 时间：2025/7/10 10:41:03 阅读：14

FCP190N60E 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用超结技术制造。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-247，适合大功率、高散热需求的场景。
　　该器件广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动以及逆变器等应用中。

参数

最大漏源电压：600V
　　最大连续漏极电流：19A
　　导通电阻：0.13Ω
　　栅极电荷：75nC
　　输入电容：1800pF
　　反向恢复时间：45ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃

特性

FCP190N60E 的主要特性包括以下几点：
　　1. 超结结构设计使其具备极低的导通电阻，在高电流应用下减少功率损耗。
　　2. 击穿电压高达 600V，适用于高压环境下的功率转换电路。
　　3. 快速开关性能，降低开关损耗，提高整体效率。
　　4. 具有良好的热稳定性，可承受高温工作环境。
　　5. 栅极驱动要求较低，便于与控制器配合使用。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。

应用

FCP190N60E 可应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
　　3. 电机驱动系统中的功率控制组件。
　　4. 太阳能逆变器以及其他功率转换设备中的关键功率器件。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换及保护功能。