晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：100V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（根据档位不同）
　　封装类型：SOT-23

BAW56S-E6327具备多种优良特性，适用于高性能电子电路设计。首先，其高频特性使其能够在250MHz的工作频率下保持良好的增益和稳定性，适合用于射频（RF）和高速开关应用。其次，该晶体管具有较高的电流增益（hFE），在不同档位下可提供110至800的增益值，能够满足多种放大和开关需求。此外，BAW56S-E6327的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为100V，具有良好的耐压能力，适用于中等功率应用。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和PCB布局。此外，该器件的低饱和电压（Vce_sat）确保了在开关状态下较低的功率损耗，提高了整体系统的能效。最后，BAW56S-E6327符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺，满足现代电子产品的环保要求。

BAW56S-E6327广泛应用于多个领域，包括但不限于：高频放大器、射频电路、数字开关电路、LED驱动电路、传感器接口电路以及低噪声前置放大器等。在通信设备中，该晶体管可用于射频信号的放大和调制。在工业控制系统中，它可以作为高效开关控制执行器或继电器。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和音频设备中也常见其身影，用于信号处理和电源管理。此外，该器件还可用于DC-DC转换器和电机驱动电路，在提高系统效率的同时降低功耗。

BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N4401