BAW56 A1是一款常见的双极型晶体管(BJT),常用于射频(RF)和低噪声放大器应用中。该器件采用硅材料制造,具有高增益、低噪声系数和良好的高频特性,适用于通信设备、接收器、功率放大器等高频电子电路。
类型:NPN双极型晶体管
封装类型:SOT-23
最大集电极-发射极电压(Vceo):30V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Ptot):300mW
过渡频率(fT):250MHz
电流增益(hFE):在Ic=2mA时为110至800(根据等级不同)
工作温度范围:-55°C至+150°C
噪声系数(NF):在Ic=2mA,f=1kHz时典型值为4dB
BAW56 A1是一款专为高频低噪声应用设计的晶体管,具有出色的噪声性能和稳定的增益表现。其硅基结构提供了良好的热稳定性和可靠性,适合在高频放大电路中使用。该晶体管的封装形式为SOT-23,体积小巧,便于在高密度电路板上安装。此外,该器件的过渡频率高达250MHz,能够在射频范围内保持良好的放大性能,因此广泛应用于无线通信、广播接收器、低噪声前置放大器等电路中。
该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,根据不同的等级划分,可以在110至800之间变化,用户可以根据具体应用需求选择合适等级的器件。其低噪声系数特性使其在信号链的第一级放大中表现尤为出色,能够有效提升系统整体的信噪比。此外,该器件的最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极电流为100mA,能够在相对宽的电源范围内稳定工作,适用于多种模拟和射频电路设计场景。
BAW56 A1主要用于射频放大器、低噪声前置放大器、无线通信设备、广播接收器、功率放大器、振荡器及各种模拟高频电路中。由于其优异的噪声性能和高频响应能力,它特别适合用于接收机的前端放大电路,以提升信号接收的灵敏度和稳定性。此外,该晶体管也可用于音频放大电路中,作为低噪声前置放大级,以提升整体音质表现。
BCX70, BFQ56, BFR181W, BFG21, BFQ59