类型：双二极管（共阴极配置）
　　最大峰值反向电压（VRM）：70 V
　　最大直流反向电压（VR）：70 V
　　最大有效值电压（Vrms）：49 V
　　最大正向整流电流（IF）：200 mA
　　最大正向瞬态电流（IFSM）：500 mA
　　最大正向电压降（VF）：1.25 V @ 100 mA
　　最大反向漏电流（IR）：5 μA @ 60 V
　　反向恢复时间（trr）：4 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23 (SC-59)
　　安装类型：表面贴装
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（<=30°C/85% RH）
　　无铅/符合RoHS：是
　　无卤素：是

BAV991NT的核心特性之一是其超快的反向恢复时间，典型值仅为4 ns，这使得它在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗和信号延迟。这种快速响应能力使其非常适合用于高速数字逻辑电路中的信号整形与隔离，例如在I2C、SPI等串行通信总线中作为电平转换或噪声抑制元件。此外，由于其低正向导通压降（最大1.25 V @ 100 mA），在电源路径或信号路径中引入的压降较小，有助于维持系统的整体效率。
　　该器件采用共阴极连接方式，即两个二极管的阴极相连并引出到一个公共引脚，这种结构常用于双路信号钳位或双通道ESD保护电路中。当输入信号出现负向尖峰或过压时，二极管可迅速导通并将多余能量泄放到地或电源轨，从而保护后续敏感电路。同时，其高达70 V的反向耐压能力提供了足够的安全裕度，适用于多种中低压应用场景。
　　BAV991NT的SOT-23封装不仅体积小巧（约2.8 mm × 1.6 mm × 1.45 mm），而且热性能良好，便于自动化贴片生产，提高了PCB布局的灵活性和组装效率。该器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环试验，确保在恶劣环境下仍能稳定工作。此外，其符合AEC-Q101汽车级可靠性标准的部分批次产品也可用于车载电子系统，扩展了其应用边界。
　　另一个显著优势是其低寄生参数设计，包括低结电容（典型值约4 pF）和低串联电阻，这对高频模拟信号传输尤为重要。在射频前端模块或音频信号路径中，这些特性有助于最小化信号衰减和相位失真。同时，器件具备良好的静电放电（ESD）抗扰度，人体模型（HBM）下可承受±2 kV以上的瞬态冲击，增强了系统的鲁棒性。综合来看，BAV991NT凭借其高速、小型化、高可靠性和多功能性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BAV991NT广泛应用于各类需要高速信号处理和电路保护的电子系统中。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常用于接口电路的ESD防护，保护USB、HDMI、耳机插孔等外部连接器免受静电损害。在通信设备领域，该器件可用于以太网PHY接口、RS-232收发器或CAN总线节点中的瞬态电压抑制和信号整流。由于其快速响应特性，也适用于高频脉冲信号的检波与解调，在无线遥控、红外接收等场景中发挥重要作用。
　　在计算机及其外设中，BAV991NT常见于主板上的电源监控电路、BIOS保护电路或内存模块的电压钳位网络中。其双二极管结构可用于构建简单的电平移位电路，实现不同供电域之间的逻辑信号兼容。在工业控制系统中，该器件可用于PLC输入模块的信号调理、传感器接口的过压保护以及继电器驱动电路中的反电动势吸收，提高系统运行的稳定性与安全性。
　　此外，BAV991NT还可用于LCD背光驱动、LED指示灯电路中的防反接保护，以及DC-DC转换器中的辅助整流路径。在汽车电子中，尽管标准版非专为汽车设计，但部分符合AEC-Q101的变体可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或车内照明控制单元中。总之，凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，BAV991NT适用于几乎所有涉及低功率信号管理与保护的场合，是工程师在进行电路设计时常用的通用型二极管解决方案。

MMBD991WT1G
　　RB751S-40TLN
　　DMK1403S-7-F
　　BAS16WSN235