类型：双二极管
　　极性：共阴极（Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　最大正向电流（IF）：250mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　结电容（Cj）：典型值6pF（在1MHz下测量）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（TO-236AB）
　　热阻（Rth j-a）：约350K/W

BAV99-7的核心特性之一是其高速开关能力，反向恢复时间仅为4ns，使其能够在高频信号环境中迅速响应并完成导通与截止状态的切换。这一性能对于射频前端模块、数字信号整形电路以及高速数据线路保护至关重要。在实际应用中，例如USB接口、I2C总线或GPIO引脚的电平转换与瞬态抑制，BAV99-7能够有效防止因信号反射或过冲引起的误操作。同时，由于其低结电容（典型值6pF），该器件对高频信号的衰减影响极小，有助于保持信号完整性。
　　另一个显著特点是其紧凑的SOT-23封装，仅占约3mm×1.8mm的PCB面积，非常适合便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的设计需求。相较于使用两个独立的小信号二极管，集成在一个封装内的双二极管不仅减少了元件数量，还降低了布线复杂度和寄生电感，从而提升了整体系统的可靠性。此外，共阴极结构使得两个阳极可以分别连接不同的输入信号，而共用一个接地路径，这种配置常见于多路信号钳位或负向电压保护场景。
　　从热性能角度来看，BAV99-7具有良好的热稳定性，可在高达+150°C的结温下持续工作，适用于高温环境下的工业控制系统。其最大正向电流为250mA，足以应对大多数低功率信号处理任务；而在短时脉冲条件下，可承受最高500mA的峰值电流，增强了对瞬态负载的耐受能力。此外，该器件具备较强的抗静电能力，典型ESD耐压可达±2kV（HBM模型），进一步提高了在恶劣电磁环境中的鲁棒性。
　　制造工艺方面，BAV99-7采用成熟的硅外延技术，确保了批次间参数的高度一致性。其无铅设计符合现代环保法规要求，并支持回流焊和波峰焊等多种焊接工艺。总体而言，BAV99-7凭借其高速、小型化、高可靠性和成本效益，成为众多电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

BAV99-7广泛应用于各类需要信号整流、电平转换和瞬态保护的电子系统中。在消费类电子产品领域，它常用于手机、笔记本电脑和平板电视的接口电路中，作为USB、HDMI或I2C总线的ESD防护元件，防止人体静电或电源浪涌对敏感IC造成损坏。在通信设备中，BAV99-7可用于RF信号路径中的直流偏置隔离或功率检测电路，利用其低结电容和快速响应特性减少信号失真。
　　在工业控制与自动化系统中，该器件常被部署于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路以及继电器驱动回路中，实现电压钳位和反向电动势吸收功能。例如，在感性负载断开时产生的反向电压可通过BAV99-7进行泄放，避免损坏驱动晶体管。此外，在电源管理单元中，BAV99-7可用于多路低压差稳压器之间的逻辑电平转换，确保不同供电域间的信号兼容性。
　　汽车电子也是BAV99-7的重要应用场景之一，尤其是在车身控制模块、车载信息娱乐系统和ADAS传感器接口中。尽管该器件不属于AEC-Q101认证的车规级产品，但在非关键系统中仍被广泛采用。其宽工作温度范围和良好热稳定性使其能在发动机舱外围或乘客舱内稳定运行。
　　此外，BAV99-7还可用于LED驱动电路中的防反接保护、ADC采样通道的输入限幅以及微控制器GPIO引脚的过压箝位。由于其双二极管共阴极结构，特别适合构建简单的OR门逻辑或实现双电源自动切换功能。总之，BAV99-7以其多功能性和高性价比，成为现代电子设计中广泛应用的基础型分立器件。

MMBD99LT1G
　　BAT54C
　　BAS70-04