时间：2025/8/14 9:30:19
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BAV70TB_R1_00001 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的双通道通用硅开关二极管阵列。该器件由两个独立的高速开关二极管组成，适用于多种模拟和数字电路应用。BAV70TB 系列封装在小型 SOT-23（TO-236）封装中，适合空间受限的应用。该器件具有低正向压降、高开关速度以及优良的稳定性，广泛用于信号切换、电压钳位、电平转换和隔离等应用场景。
最大重复反向电压（Max Repetitive Reverse Voltage, VRRM）：100 V
最大正向电流（Max Forward Current, IF）：300 mA
峰值正向电流（Peak Forward Current, IFM）：1.25 A
反向漏电流（Reverse Current, IR）：100 nA（@ VR = 100 V）
正向压降（Forward Voltage, VF）：1.25 V（@ IF = 100 mA）
反向恢复时间（Reverse Recovery Time, trr）：4 ns
工作温度范围（Operating Temperature Range）：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围（Storage Temperature Range）：-65 °C 至 +150 °C
BAV70TB_R1_00001 的核心特性之一是其双通道结构，允许两个独立的开关二极管在同一个封装中工作，减少了PCB空间占用。该器件具有高速开关能力，反向恢复时间低至4 ns，适用于高频开关电路和数字信号处理应用。此外，其最大重复反向电压达到100 V，使其能够适应中等功率的电路保护和隔离需求。
该器件的正向压降为1.25 V（在100 mA电流下），相对较低，有助于减少功率损耗，提高电路效率。其最大连续正向电流可达300 mA，适用于中等电流负载的整流和信号控制。BAV70TB_R1_00001 还具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定工作。
采用SOT-23小型封装，便于自动化生产和表面贴装，适用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等多种应用场景。
BAV70TB_R1_00001 适用于多种电子电路中的信号切换、电压钳位、电平转换、隔离和整流功能。例如，在数字电路中，它可用于防止反向电流干扰或保护输入/输出端口；在电源管理系统中，可作为低损耗整流器或负载隔离器件；在通信接口电路中，可用于静电放电（ESD）保护和信号隔离。
此外，该器件也常用于LCD/OLED显示驱动电路中的背光控制和电压调节，以及在传感器接口电路中实现信号整流和保护。由于其高速特性，BAV70TB_R1_00001 也可用于射频（RF）信号切换和混频器电路中的隔离功能。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、CAN总线接口保护、点火系统以及车载娱乐系统的信号控制部分。其SOT-23封装形式也使其非常适合用于便携式设备、物联网（IoT）模块和智能穿戴设备等空间受限的应用。
1N4148WS, BAV99, BAS70, 1N4448
