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BAV70T-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 8:53:31 查看 阅读:13

BAV70T-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的双二极管,采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装。该器件集成了两个独立的高速开关二极管,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适用于高频信号处理、电平转换、保护电路以及电源管理等多种应用场景。由于其紧凑的封装形式和优良的电气性能,BAV70T-7-F广泛用于便携式电子设备、通信模块、消费类电子产品和工业控制电路中。该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适合现代自动化贴片生产流程。其额定工作温度范围通常为-55°C至+150°C,确保在严苛环境下的稳定运行。

参数

型号:BAV70T-7-F
  制造商:Diodes Incorporated
  封装/包装:SOT-23 (SC-59)
  二极管配置:双独立二极管
  最大平均整流电流:200mA(每对二极管)
  峰值反向电压:100V
  最大正向电压:1.25V @ 10mA
  反向漏电流:5μA @ 75V
  反向恢复时间:4ns 典型值
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  功率耗散:300mW(整体封装)
  极性:双通用(可配置为共阴极或其他连接方式)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

BAV70T-7-F的核心优势在于其高速开关能力和紧凑的封装设计,使其成为高频信号切换和空间受限应用的理想选择。该器件的每个二极管均具备极短的反向恢复时间(典型值仅为4ns),能够在高频条件下实现快速导通与截止,有效减少开关损耗并提升系统效率。这一特性使其非常适合用于高频整流、脉冲检测和数字逻辑接口中的信号整形。
  其最大平均整流电流为200mA,足以应对大多数低功率信号处理需求,同时峰值反向耐压可达100V,提供了良好的电压裕度,增强了电路在瞬态过压情况下的可靠性。正向压降较低,在10mA电流下典型值为1.25V,有助于降低功耗并提高能效,尤其在电池供电设备中具有重要意义。
  SOT-23封装不仅体积小巧,便于高密度布局,而且热阻适中,能够有效散发工作过程中产生的热量。此外,该器件采用无铅材料和绿色环保工艺制造,符合RoHS和REACH等国际环保规范,适用于出口型电子产品和对环境要求较高的项目。
  BAV70T-7-F还具备优异的温度稳定性,可在-55°C至+150°C的宽温范围内正常工作,适用于工业级和汽车级应用环境。其结构设计保证了良好的机械强度和焊接可靠性,适合回流焊和波峰焊等多种SMT生产工艺。总体而言,这款双二极管在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡,是现代电子设计中常用的通用型高速开关二极管解决方案之一。

应用

BAV70T-7-F被广泛应用于各类需要高速信号处理和空间优化的电子系统中。常见用途包括信号电平转换电路,特别是在不同电压域之间的逻辑接口匹配,例如将3.3V微控制器与5V外围设备进行通信时,利用其单向导通特性防止反向电流损坏器件。
  它也常用于输入保护电路,作为钳位二极管来抑制瞬态电压尖峰或静电放电(ESD)对敏感IC的影响。在高频整流场合,如射频检波或脉冲信号解调中,其快速反向恢复能力确保了信号的完整性与响应速度。
  此外,该器件可用于电源轨之间的隔离,防止反向电流流动,例如在双电源系统或多电池切换系统中起到防倒灌作用。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线模块和可穿戴设备中,BAV70T-7-F因其小尺寸和高性能而被大量采用。
  工业控制领域中,它也被用于传感器信号调理、继电器驱动电路的续流保护以及PLC模块中的信号隔离。由于其工作温度范围宽,也可应用于车载电子设备、LED驱动电路和通信基站中的辅助电源管理单元。

替代型号

MMBD7000LT1G
  BAT54CT-7-F
  BAS70-04LT1G
  DSK210T-7-F

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BAV70T-7-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 50mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电2µA @ 75V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)75mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)85V
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 二极管类型标准
  • 速度小信号 =
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-523
  • 供应商设备封装SOT-523
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称BAV70T-FDIDKR