时间：2025/5/28 18:51:40
阅读：6
NVTJD4001NT1G 是一款由安森美（onsemi）推出的低功耗、小封装的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用业界标准的小型 SOT23 封装，适用于空间受限的设计场景。NVTJD4001NT1G 具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少功率损耗并提升效率，非常适合用于电池供电设备及各类便携式电子产品的电源管理电路中。
此外，由于其出色的电气性能和可靠性，NVTJD4001NT1G 在消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域得到了广泛应用。
型号：NVTJD4001NT1G
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT23
Vds（漏源电压）：30V
Vgs（栅源电压）：±20V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.5Ω（在 Vgs=4.5V 时）
Id（连续漏极电流）：290mA（在 25°C 时）
Pd（总功耗）：360mW（在 25°C 时）
f（工作频率）：1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在典型条件下仅为 1.5Ω，能够显著降低导通损耗。
2. 高速开关能力，支持高达 1MHz 的工作频率，满足高频应用需求。
3. 小尺寸 SOT23 封装设计，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
4. 宽泛的工作温度范围，从 -55°C 到 +150°C，适应多种环境条件下的稳定运行。
5. 内部结构优化，提供优异的热特性和电气稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接与集成。
7. 良好的静电防护能力，提高产品可靠性。
NVTJD4001NT1G 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关操作的场景，包括但不限于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路，例如手机、平板电脑及笔记本电脑配件。
2. 电池管理系统（BMS），用于电池充放电控制和过流保护。
3. DC-DC 转换器和线性稳压器的开关元件。
4. 通信设备中的信号切换和隔离。
5. 工业自动化设备中的小型电机驱动和继电器替代方案。
6. 各种低功耗、高效率设计的电源模块。
7. 便携式医疗设备中的电源管理部分。
AO3401A
FDS2517
IRLML6401
BSS138
