BAV21T/B是一款由恩智浦半导体公司(NXP Semiconductors)设计的高频小信号开关二极管,广泛应用于通信、信号处理和电子控制系统中。该器件采用SOT-23封装,具备良好的高频特性和快速开关能力,适用于需要快速响应和低电容特性的电路设计。BAV21T/B在设计上优化了反向恢复时间和正向压降,使其在高频整流、检波、开关电路中表现优异。
类型:开关二极管
最大正向电流:300 mA
峰值反向电压:100 V
正向电压(IF=10mA时):最大1.25 V
反向漏电流(VR=100V时):最大100 nA
反向恢复时间:最大50 ns
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
BAV21T/B具备快速开关特性,适用于高频整流和开关应用。其反向恢复时间短,有助于减少开关损耗并提高电路效率。此外,该器件的正向压降较低,能够在高电流下保持良好的能效表现。其SOT-23封装形式不仅节省空间,还便于表面贴装工艺,适合现代电子设备的小型化设计。BAV21T/B还具备良好的热稳定性和机械可靠性,适用于各种恶劣环境条件下的应用。
该二极管具有较低的结电容,使其在射频(RF)和高速数字电路中表现出色,适用于检波、混频和信号控制等应用。同时,BAV21T/B的高反向耐压能力(100V)使其能够适应多种电源和信号隔离场合。由于其优异的性能指标,BAV21T/B常被用于通信设备、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统中。
BAV21T/B主要应用于高频整流电路、检波电路、信号开关和隔离电路等场景。它在通信系统中常用于射频信号处理、混频器和调制解调器的设计。在工业控制领域,该器件可用于高速信号切换和电源保护电路。此外,BAV21T/B还适用于数字逻辑电路中的信号隔离和高速整流应用,以及汽车电子系统中的电源管理模块。由于其高频特性和低电容特性,该器件也广泛用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号处理和电源管理电路。
BAV19W, 1N4148W, BAV99